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BUX12_12 参数 Datasheet PDF下载

BUX12_12图片预览
型号: BUX12_12
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内容描述: 大电流,高转速,高功率晶体管 [HIGH CURRENT, HIGH SPEED , HIGH POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管高功率电源
文件页数/大小: 3 页 / 78 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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NPN BUX12
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO ( SUS )
V
EB0(SUS)
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
I
S / B
E
S / B
f
T
t
on
t
s
t
f
评级
测试条件(S )
250
7
-
-
-
-
20
10
-
-
-
5
0.15
10
8
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
0.22
0.5
1.23
-
-
-
-
0.28
1.45
0.23
最大
-
-
1.5
1.5
6
1
60
-
1
1.5
1.5
-
-
-
-
1
2
0.5
单位
V
V
mA
mA
mA
-
V
A
A
兆赫
集电极 - 发射极电压维持
I
C
± 200毫安
(*)
发射极 - 基极击穿电压
I
C
= 0A ,我
E
-50毫安
(*)
V
CE
= 200 V,I
B
=0A
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益( * )
集电极 - 发射极饱和
电压(*)
基射极饱和电压( * )
第二击穿集电极电流
钳位ê
S / B
集电极电流
跃迁频率
开启时间
贮存时间
文件时间
V
CE
= V
CEX
, V
BE
= -1.5V
V
CE
= V
CEX
, V
BE
= -1.5V
T
= 125°C
V
EB
= 5.0 V,I
C
=0
I
C
= 5 A,V
CE
=4.0 V
I
C
= 10 A,V
CE
=4.0 V
I
C
= 5 A,I
B
=0.5 A
I
C
= 10 A,I
B
=1.25 A
I
C
= 10 A,I
B
=1.25 A
V
CE
= 30 V ,T
s
= 1s
V
CE
=140 , t
s
= 1s
V
= 250 V , L = 500 μH
V
CE
= 15 V,I
C
=1 A
F = 10MHz的
I
C
= 10 A,I
B
=1.25 A
V
CC
=150 V
I
C
= 10 A,V
CC
=150 V
I
B1
= -I
B2
=1.25 A
µs
( * )脉冲宽度= 300
µs,
占空比< = 2 %
26/10/2012
半导体COMSET
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