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BUX11 参数 Datasheet PDF下载

BUX11图片预览
型号: BUX11
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内容描述: 大电流,高转速,高功率晶体管 [HIGH CURRENT, HIGH SPEED , HIGH POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管高功率电源
文件页数/大小: 3 页 / 125 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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NPN BUX11
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO ( SUS )
V
EB0(SUS)
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
评级
集电极 - 发射极
维持电压( 1)
发射极 - 基极击穿
电压(1)
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
± 200毫安
测试条件(S )
最小典型单位的Mx
200
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
1.5
6
1
V
V
mA
mA
I
C
= 0A ,我
E
-50毫安
V
CE
= 160 V,I
B
=0A
V
CE
= V
CEX
, V
BE
= -1.5V
V
CE
= V
CEX
, V
BE
= -1.5V ,T
= 125°C
V
EB
= 5.0 V,I
C
=0
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
直流电流增益( 1 )
集电极 - 发射极
饱和电压( 1)
基射极饱和
电压(1)
I
C
= 6 A,V
CE
=2.0 V
I
C
= 12 A,V
CE
=4.0 V
I
C
= 6 A,I
B
=0.6 A
I
C
= 12 A,I
B
=1.5 A
I
C
= 12 A,I
B
=1.5 A
20
10
-
-
-
-
-
0.3
0.6
1.3
60
-
0.6
1.5
1.5
-
V
符号
I
S / B
E
S / B
f
T
t
on
t
s
t
f
评级
第二击穿集电极
当前
钳位ê
S / B
集热器
当前
跃迁频率
开启时间
贮存时间
文件时间
测试条件(S )二段
V
CE
= 30 V ,T
s
= 1s
V
CE
= 140 V,T
s
= 1s
V
= 200 V,L = 500 μH
V
CE
= 15 V,I
C
= 1 , F = 10 MHz的
I
C
= 12 A,I
B
= 1.5 A,V
CC
=150 V
最小典型单位的Mx
5
0.15
12
8
-
-
-
-
-
-
-
0.3
1.2
0.24
-
-
-
-
1.0
1.8
0.4
µs
兆赫
A
I
C
= 12 A,V
CC
=150 V
I
B1
= -I
B2
=1.5 A
( 1 )脉冲宽度= 300
µs,
占空比< = 2 %
半导体COMSET
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