BUR52_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BUR52_12
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内容描述：	大电流NPN硅晶体管 [HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 77 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

BUR52

大电流NPN硅晶体管

该BUR52是在改性JEDEC的TO -3金属硅multiepitaxial平面NPN晶体管

情况下，

在军事及工业设备的切换和线性应用Intented使用。

符合RoHS指令。

绝对最大额定值

符号

首席执行官

CBO

EBO

评级

集电极 - 发射极电压（I

= 0)

集电极 - 基极电压（I

= 0)

发射极 - 基极电压（I

= 0)

集电极电流

基极电流

功耗

价值

250

350

= （ 10毫秒）

@ T

= 25°

单位

°C

结温

储存温度

350

200

-55到+200

热特性

符号

THJ -C

评级

热阻，结到外壳

价值

0.5

单位

° C / W

半导体COMSET

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