BU806 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BU806
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内容描述：	硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 101 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

半导体

BU806

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

首席执行官

CEOV

CES

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

评级

集电极 - 发射极

击穿电压（ * ）

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极

饱和电压（ * ）

基射极饱和

电压（*）

二极管的正向电压（ * ）

测试条件（S ）

= 100毫安，我

= 0

= 400 V, V

BE （OFF）的

= 6 V

= 400 V, V

BE （OFF）的

= 0 V

= 6 V，I

= 0

= 5 A，I

= 250毫安

= 5 A，I

= 250毫安

= 7 A

民

200

典型值

最大

100

1.5

2.4

3.5

单位

µA

开关时间。

符号

评级

开启时间

贮存时间

下降时间

测试条件（S ）

民

典型值

0.35

0.55

0.2

最大

单位

= 100V ;我

= 5 A

= 50mA时我

= 500毫安

µs

（*）这些参数必须采用脉冲技术来测量，叔

300

µs,

占空比

∠

1.5%

29/09/2012

半导体COMSET

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