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BT152-800R 参数 Datasheet PDF下载

BT152-800R图片预览
型号: BT152-800R
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内容描述: 晶闸管 [THYRISTORS]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 172 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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半导体
BT152系列
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
DRM
V
RRM
I
GT
V
GT
I
L
I
H
I
D
I
R
V
T
评级
重复峰值
断态电压
反向重复峰值
电压
门极触发电流
门极触发电压
闭锁电流
保持电流
Ø FF-态电流
反向电流
通态电压
测试条件(S )
BT152-400R
BT152-600R
BT152-800R
BT152-400R
BT152-600R
BT152-800R
V
D
= 12 V ;我
T
= 100毫安
V
D
= 12 V ;我
T
= 100毫安
V
D
= 12 V ;我
GT
= 100毫安
V
D
= 12 V ;我
GT
= 100毫安
V
D
= V
DRM最大;
T
j
= 125°C
V
R
= V
RRM最大;
T
j
= 125°C
I
T
= 40 A
450
650
800
450
650
800
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
32
1.5
80
60
1
1
1.75
单位
V
mA
V
mA
mA
mA
mA
V
动态特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
t
gt
评级
的临界上升率
断态电压
门控
开启时间
换向电路
打开-O FF时间
测试条件(S )
V
DM
= 67% V
DRMmax
T
j
= 125°C
指数波形;门
开路
I
TM
= 40 A; V
D
= V
DRMmax
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
V
DM
= 67% V
DRMmax
T
j
= 125°C
I
TM
= 50 A; V
R
= 25 V
R
GK
= 100
dI
TM
/ DT = 30 A / μs的
dV
D
/ DT = 50 V / μs的
200
-
典型值
300
2
最大
-
-
单位
V / μs的
µs
t
q
-
70
-
µs
26/09/2012
半导体COMSET
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