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    BT151-500R 参数 Datasheet PDF下载

    BT151-500R图片预览
    型号： BT151-500R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶闸管 [THYRISTORS]
    分类和应用： 栅极局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 172 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BT151-500R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BT151-500R的Datasheet PDF文件第3页  
    半导体
    BT151系列
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    V
    DRM
    V
    RRM
    I
    GT
    V
    GT
    I
    L
    I
    H
    I
    D
    I
    R
    V
    T
    评级
    重复峰值
    断态电压
    反向重复峰值
    电压
    门极触发电流
    门极触发电压
    闭锁电流
    保持电流
    Ø FF-态电流
    反向电流
    通态电压
    测试条件（S ）
    BT151-500R
    BT151-650R
    BT151-800R
    BT151-500R
    BT151-650R
    BT151-800R
    V
    D
    = 12 V ;我
    T
    = 100毫安
    V
    D
    = 12 V ;我
    T
    = 100毫安
    V
    D
    = 12 V ;我
    GT
    = 100毫安
    V
    D
    = 12 V ;我
    GT
    = 100毫安
    V
    D
    = V
    DRM最大;
    T
    j
    = 125°C
    V
    R
    = V
    RRM最大;
    T
    j
    = 125°C
    I
    T
    = 23 A
    民
    500
    650
    800
    500
    650
    800
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    15
    1.5
    40
    20
    0.5
    0.5
    1.75
    单位
    V
    mA
    V
    mA
    mA
    mA
    mA
    V
    动态特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    评级
    测试条件（S ）
    V
    DM
    = 67% V
    DRMmax
    ; T
    j
    = 125°C
    指数波形;门
    开路
    V
    DM
    = 67% V
    DRMmax
    ; T
    j
    = 125°C
    指数波形
    R
    GK
    = 100
    Ω
    I
    TM
    = 40 A; V
    D
    = V
    DRMmax
    I
    G
    = 0.1 A;的dI
    G
    / DT = 5 A / μs的
    V
    DM
    = 67% V
    DRMmax
    ; T
    j
    = 125°C
    I
    TM
    = 20 A; V
    R
    = 25 V
    R
    GK
    = 100
    Ω
    dI
    TM
    / DT = 30 A / μs的
    dV
    D
    / DT = 50 V / μs的
    民
    50
    200
    -
    典型值
    130
    1000
    2
    最大
    -
    -
    -
    单位
    V / μs的
    V / μs的
    µs
    dV
    D
    / DT
    的临界上升率
    断态电压
    门控
    开启时间
    换向电路
    打开-O FF时间
    t
    gt
    t
    q
    -
    70
    -
    µs
    26/09/2012
    半导体COMSET
    2|3

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