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BSS61A 参数 Datasheet PDF下载

BSS61A图片预览
型号: BSS61A
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内容描述: 硅平面外延晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 163 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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NPN BSS60A - 61A -62A
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
-I
CBO
-I
EB0
评级
收藏家Cuto FF电流
测试条件(S )
I
E
= 0 ;-V
CB
= 45V
I
E
= 0 ;-V
CB
= 60V
I
E
= 0 ;-V
CB
= 80V
I
C
= 0 ;-V
EB
=4 V
-
典型的Mx单位
-
50
nA
发射Cuto FF电流
BSS60A
BSS61A
BSS62A
BSS60A
BSS61A
BSS62A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
700
1.3
1.3
1.6
1.6
1.6
1.6
1.9
2.2
2.2
-
µA
-V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和
电压
-V
BE ( SAT )
基射极饱和
电压
-I
C
= 500毫安, -I
B
-0.5毫安
-I
C
= 500毫安, -I
B
= 0.5毫安,T
j
=200°C
-I
C
= 1 , -I
B
= 1毫安
BSS61A
-I
C
= 1 , -I
B
= 1毫安,T
j
=200°C
-I
C
= 1 , -I
B
= 4毫安
BSS60A
-I
C
= 1 , -I
B
= 4毫安,T
j
=200°C
BSS62A
-I
C
= 500毫安, -I
B
-0.5毫安
-I
C
= 1 , -I
B
= 1毫安
BSS61A
-I
C
= 1 , -I
B
= 4毫安
-I
C
= 150毫安, -V
CE
=10 V
V
h
FE
直流电流增益
-I
C
= 500毫安, -V
CE
=10 V
-I
C
= 500毫安, -V
CE
=5 V
F = 35 MHz的
-I
CON
± 500毫安
-I
B1
= I
B2
-0.5毫安
-I
CON
= 1毫安
-I
B1
= I
B2
= 1毫安
h
fe
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
小信号电流增益
开关时间
开关时间
BSS60A
BSS62A
BSS60A
BSS61A
BSS62A
BSS60A
BSS61A
BSS62A
BSS60A
BSS61A
BSS62A
-
2000
-
-
-
-
-
-
-
10
0.4
1.5
0.4
1.5
-
-
-
-
-
-
µs
µs
半导体COMSET
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