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BDY58 参数 Datasheet PDF下载

BDY58图片预览

型号：	BDY58
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内容描述：	NPN硅晶体管， DIFFUSED MESA [NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 201 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

浏览型号BDY58的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号BDY58的Datasheet PDF文件第3页

BDY57 - BDY58

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CE （ SAT ）

评级

集电极 - 发射极

击穿电压（ * ）

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

测试条件（S ）

I

C

= 100毫安，我

B

=0

最小典型单位的Mx

80

125

-

-

-

0.5

-

-

1.4

V

BDY57

BDY58

BDY57

BDY58

BDY57

I

C

= 10 A，I

B

=1.0 A

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿

电压（*）

120

160

-

-

-

V

-

I

C

= 5.0毫安，我

E

=0

BDY58

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿

电压（*）

I

E

= 5.0 A，I

C

=0

BDY57

BDY58

-

0.5

1.4

V

I

CBO

集电极 - 基极截止

当前

集电极 - 发射极截止

当前

V

CB

=120 V

I

E

=0 V

V

CE

=80 V

R

BE

=10

Ω

T

例

=100°C

V =10 V

BDY57

BDY58

BDY57

BDY58

BDY57

BDY58

BDY57

BDY58

BDY57

BDY58

BDY57

BDY58

BDY57

BDY58

BDY57

BDY58

1.0

-

0.5

0.5

10

mA

I

CER

-

-

mA

I

EBO

发射基截止电流

I

EB

V

C

=0

-

-

20

-

10

10

0.25

-

15

-

30

0.5

60

-

-

-

mA

V

CE

= 4 V，I

C

=10 A

h

21E

静态正向电流

传输比（ * ）

V

CE

= 4 V，I

C

=20 A

V

CE

= 4 V，I

C

= 10 A，T

例

=-

30°C

V

f

T

跃迁频率

V

CE

= 15 V，I

C

= 1.0 A， F = 10

兆赫

兆赫

t

d

+ t

r

开启时间

I

C

= 15 A，I

B

=1.5 A

-

0.25

1

µs

半导体COMSET

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