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    BDY56 参数 Datasheet PDF下载

    BDY56图片预览
    型号： BDY56
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅晶体管， DIFFUSED MESA [NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 130 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BDY56的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BDY56的Datasheet PDF文件第3页  
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    V
    CEO （ SUS ）
    评级
    集电极 - 发射极
    击穿电压（ * ）
    集电极 - 发射极截止
    当前
    测试条件（S ）
    I
    C
    = 200毫安，我
    B
    = 0
    最小典型单位的Mx
    60
    120
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.7
    mA
    0.5
    5
    mA
    3
    5
    30
    mA
    -
    3
    30
    V
    BDY55
    BDY56
    BDY55
    BDY56
    BDY55
    V
    CE
    = 30 V
    V
    CE
    = 60 V
    -
    -
    -
    -
    -
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    发射基截止电流
    V
    EB
    = 7 V
    BDY56
    V
    CE
    = 100 V
    V
    BE
    = -1.5 V
    V
    CE
    = 100 V
    V
    BE
    = -1.5 V
    T
    例
    = 150°C
    V
    CE
    = 150 V
    V
    BE
    = -1.5 V
    V
    CE
    = 150 V
    V
    BE
    = -1.5 V
    T
    例
    = 150°C
    BDY55
    -
    I
    CEX
    集电极 - 发射极截止
    当前
    BDY56
    -
    V
    CE （ SAT ）
    集电极 - 发射极饱和
    电压（*）
    集电极 - 发射极饱和
    电压（*）
    基射极电压（ * ）
    静态正向电流
    传输比（ * ）
    跃迁频率
    开启时间
    打开-O FF时间
    I
    C
    = 4.0 A，I
    B
    = 0.4 A
    I
    C
    = 10 A，I
    B
    = 3.3 A
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    H
    FE
    f
    T
    t
    d
    + t
    r
    t
    s
    + t
    f
    I
    C
    = 10 A，I
    B
    = 3.3 A
    I
    C
    = 4.0 A，V
    CE
    = 4.0 V
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    = 4 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =10 A
    V
    CE
    = 4.0 V，I
    C
    = 1.0 A,
    F = 10MHz的
    I
    C
    = 5 A，I
    B
    = 1 A
    I
    C
    = 5 A,
    I
    B1
    = 1 A,
    I
    B2
    = -0.5 A
    BDY55
    BDY56
    BDY55
    BDY56
    BDY55
    BDY56
    BDY55
    BDY56
    BDY55
    BDY56
    BDY55
    BDY56
    BDY55
    BDY56
    BDY55
    BDY56
    BDY55
    BDY56
    -
    -
    -
    -
    20
    10
    10
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.1
    V
    2.5
    2.5
    1.8
    70
    V
    V
    -
    -
    -
    -
    0.5
    2
    兆赫
    µs
    µs
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    分页： 1 2 3

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