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BDY53 参数 Datasheet PDF下载

BDY53图片预览

型号：	BDY53
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内容描述：	NPN硅晶体管， DIFFUSED MESA [NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 142 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

浏览型号BDY53的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号BDY53的Datasheet PDF文件第3页

BDY53 - BDY54

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

V

CEO （ SUS ）

I

EBO

评级

集电极 - 发射极

击穿电压（ * ）

测试条件（S ）

I

C

= 100毫安，我

B

=0

最小典型单位的Mx

60

120

-

-

-

-

-

-

3.0

V

mA

BDY53

BDY54

BDY53

BDY54

BDY53

BDY54

BDY53

BDY54

BDY53

BDY54

BDY53

BDY54

BDY53

BDY54

BDY53

BDY54

BDY53

BDY54

BDY53

BDY54

BDY53

BDY54

发射基截止电流

V

EB

=7 V

V

CE

=100 V

V

BE

=-1.5 V

T

例

=150°C

V

CE

=150 V

V

BE

=-1.5 V

T

例

=150°C

I

C

= 4.0 A，I

B

=0.4 A

I

C

= 7.0 A，I

B

=1.4 A

I

C

= 4.0 A，I

B

=0.4 A

I

CEX

集电极 - 发射极截止

当前

-

-

-

-

-

-

20

-

15

-

-

-

-

-

-

1.1

V

2.2

2

V

2.5

60

V

mA

V

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

V

BE （ SAT ）

基射极电压（ * ）

I

C

= 7.0 A，I

B

=1.4 A

h

21E

f

T

静态正向电流

传输比（ * ）

跃迁频率

V

CE

= 1.5 V，I

C

=2 A

V

CE

= 4.0 V，I

C

= 0.5 A ， F = 10

兆赫

20

-

-

兆赫

t

d

+ t

r

开启时间

I

C

= 5 A，I

B

=1 A

-

0.3

-

µs

t

s

+ t

f

打开-O FF时间

I

C

=5 A,

I

B1

=1 A,

I

B2

=-0.5 A

-

1.8

-

µs

（ * ）脉冲宽度

≈

300

µs,

占空比

∠

2.0%

半导体COMSET

2/3

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