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BDY53_12 参数 Datasheet PDF下载

BDY53_12图片预览

型号：	BDY53_12
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅晶体管的漫射MESA [SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 77 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

浏览型号BDY53_12的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号BDY53_12的Datasheet PDF文件第3页

NPN BDY53 - BDY54

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

V

CEO （ SUS ）

I

EBO

评级

集电极 - 发射极

击穿电压（ * ）

发射极 - 基极截止

当前

集电极 - 发射极截止

当前

测试条件（S ）

I

C

= 100毫安，我

B

=0

V

EB

=7 V

V

CE

=100 V

V

BE

=-1.5 V

T

例

=150°C

V

CE

=150 V

V

BE

=-1.5 V

T

例

=150°C

BDY53

BDY54

BDY53

BDY54

BDY53

民

60

120

-

-

典型值

-

-

-

-

最大

-

-

3.0

单位

V

mA

I

CEX

15

BDY54

-

-

-

-

-

20

20

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.3

1.8

1.1

mA

V

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和我

C

= 4.0 A，I

B

=0.4 A

电压（*）

I

C

= 7.0 A，I

B

=1.4 A

V

BE （ SAT ）

基射极电压（ * ）

静态正向电流

传输比（ * ）

跃迁频率

开启时间

打开-O FF时间

h

21E

f

T

t

d

+ t

r

t

s

+ t

f

BDY53

BDY54

BDY53

BDY54

BDY53

I

C

= 4.0 A，I

B

=0.4 A

BDY54

BDY53

I

C

= 7.0 A，I

B

=1.4 A

BDY54

BDY53

V

CE

= 1.5 V，I

C

=2 A

BDY54

V

CE

= 4.0 V，I

C

= 0.5 A BDY53

F = 10MHz的

BDY54

BDY53

I

C

= 5 A，I

B

=1 A

BDY54

I

C

=5 A

BDY53

I

B1

=1 A

BDY54

I

B2

=-0.5 A

V

2.2

2

V

2.5

60

-

-

-

V

兆赫

µs

µs

（ * ）脉冲宽度

≈

300

µs,

占空比

∠

2.0%

08/11/2012

半导体COMSET

2|3

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