BDY26 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BDY26
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内容描述：	NPN硅晶体管， DIFFUSED MESA [NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 253 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

COMSET

半导体

BDY26 ， 183 T2

BDY27 ， 184 T2

BDY28 ， 185 T2

热特性

符号

THJ -C

评级

热阻，结到外壳

BDY26 ， 183T2

BDY27 ， 184T2

BDY28 ， 185T2

价值

单位

° C / W

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

评级

集电极 - 发射极

击穿电压（ * ）

集电极 - 发射极截止

当前

测试条件（S ）

BDY26 ， 183T2

BDY27 ， 184T2

BDY28A ， 185T2A

BDY28B ， 185T2B

BDY28C ， 185T2C

BDY26

BDY27

BDY28

BDY26 ， 183T2

BDY27 ， 184T2

BDY28 ， 185T2

BDY26 ， 183T2

BDY27 ， 184T2

BDY28 ， 185T2

最小典型单位的Mx

180

200

250

220

1.0

CEO （ BR ）

= 50 mA时，我

首席执行官

=180 V

=200 V

=250 V

EBO

发射基截止电流

=10 V

=250 V

=0 V

1.0

CES

集电极 - 发射极截止

当前

=300 V

=0 V

=400 V

=0 V

第2页

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