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BDX62_12 参数 Datasheet PDF下载

BDX62_12图片预览
型号: BDX62_12
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内容描述: PNP硅达林顿功率晶体管 [PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 83 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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BDX62 - A - B - C
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
集电极 - 发射极击穿
电压(*)
测试条件(S )
I
C
=-0.1 A
I
B
=0
L=25mH
V
CE
=-30 V
V
CE
=-40 V
V
CE
=-50 V
V
CE
=-60 V
V
BE
=-5 V
V
CBO
=-60 V
V
CBO
=-40 V
T
=200°C
V
CBO
=-80 V
V
CBO
=-50 V
T
=200°C
V
CBO
=-100 V
V
CBO
=-60 V
T
=200°C
V
CBO
=-120 V
V
CBO
=-70 V
T
=200°
BDX62C
BDX62B
BDX62
BDX62
BDX62A
BDX62B
BDX62C
BDX62
BDX62A
BDX62B
BDX62C
BDX62
BDX62A
BDX62B
BDX62C
-60
-80
-100
-120
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-0.5
单位
V
CEO ( SUS )
V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
-5.0
-0.2
-2
-0.2
-2
mA
BDX62A
-
-
-
-
-
BDX62
BDX62A
BDX62B
BDX62C
BDX62
BDX62A
BDX62B
BDX62C
BDX62
BDX62A
BDX62B
BDX62C
-
-0.2
-2
-0.2
-2
I
CBO
集电极 - 基极截止电流
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和
电压(*)
I
C
=-3.0 A
I
B
= -12毫安
-
-2
V
V
F
正向电压(脉冲
法)
I
F
=3 A
-
-
-2.5
V
V
BE
基射极电压( * )
I
C
=-3.0 A
V
CE
=-3V
-
-
-
V
24/10/2012
半导体COMSET
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