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    BDX43 参数 Datasheet PDF下载

    BDX43图片预览
    型号： BDX43
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅平面达林顿晶体管 [SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管开关局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 193 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BDX43的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BDX43的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN BDX42 - BDX43- BDX44
    PNP BDX45 - BDX46 - BDX47
    热特性
    符号
    R
    THJ -A
    R
    THJ - MB
    评级
    BDX42
    热阻，结到环境
    BDX43
    BDX44
    BDX42
    热阻，结到
    BDX43
    安装底座
    BDX44
    价值
    100
    单位
    K / W
    10
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    I
    CES
    I
    EBO
    评级
    集电极截止电流
    测试条件（S ）
    V
    BE
    = 0 ; V
    CE
    = 45V
    V
    BE
    = 0 ; V
    CE
    = 60V
    V
    BE
    = 0 ; V
    CE
    = 80V
    I
    C
    =0 ; V
    EB
    = 4V
    最小典型单位的Mx
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1000
    1000
    1000
    2000
    2000
    2000
    发射极截止电流
    BDX42
    BDX43
    BDX44
    BDX42
    BDX43
    BDX44
    BDX42
    BDX43
    BDX44
    BDX43
    BDX42
    BDX44
    BDX42
    BDX43
    BDX44
    BDX43
    BDX42
    BDX44
    BDX42
    BDX43
    BDX44
    BDX43
    BDX42
    BDX44
    BDX42
    BDX43
    BDX44
    BDX42
    BDX43
    BDX44
    2/3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10
    10
    10
    10
    10
    10
    1.3
    1.3
    1.3
    1.6
    1.6
    1.6
    1.3
    1.3
    1.3
    1.8
    1.6
    1.6
    1.9
    1.9
    1.9
    2.2
    2.2
    2.2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    µA
    µA
    I
    C
    = 500μm的，我
    B
    -0.5毫安
    I
    C
    = 1.0 A，I
    B
    = 1.0毫安
    V
    CE （ SAT ）
    集电极 - 发射极饱和
    电压（*）
    I
    C
    = 1.0 A，I
    B
    -4.0毫安
    I
    C
    = 500μm的，我
    B
    -0.5毫安
    TJ = 150℃
    I
    C
    = 1.0 A，I
    B
    = 1.0毫安
    TJ = 150℃
    I
    C
    = 1.0 A，I
    B
    -4.0毫安
    TJ = 150℃
    I
    C
    = 500μm的，我
    B
    -0.5毫安
    V
    V
    BE （ SAT ）
    基射极饱和
    电压（*）
    I
    C
    = 1.0 A，I
    B
    = 1.0毫安
    I
    C
    = 1.0 A，I
    B
    -4.0毫安
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    -150毫安
    V
    h
    FE
    直流电流增益
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    ± 500毫安
    -
    半导体COMSET

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