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    BDX35 参数 Datasheet PDF下载

    BDX35图片预览
    型号： BDX35
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅平面外延功率晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 215 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BDX35的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BDX35的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDX35的Datasheet PDF文件第4页  
    NPN BDX35 - BDX36 - BDX37
    热特性
    符号
    R
    THJ - MB
    评级
    BDX35
    热阻，结到mouting
    BDX36
    BASE
    BDX37
    BDX35
    热阻，结到环境
    BDX36
    infree空气
    BDX37
    价值
    5
    单位
    K / W
    R
    THJ -A
    100
    K / W
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    评级
    测试条件（S ）
    I
    E
    =0 ,
    V
    CB
    =80 V
    I
    E
    =0 ,
    V
    CB
    =100 V
    I
    E
    =0 ,
    V
    CB
    =100 V
    I
    E
    =0 ,
    V
    CB
    = 80 V，T
    j
    = 100°C
    I
    E
    =0 ,
    V
    CB
    = 100 V，T
    j
    = 100°C
    I
    E
    =0 ,
    V
    CB
    = 100 V，T
    j
    = 100°C
    I
    C
    =0, V
    EB
    =4 V
    最小典型单位的Mx
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    45
    I
    CBO
    集电极截止电流
    I
    EBO
    发射极截止offcurrent
    I
    C
    =0, V
    EB
    =5 V
    BDX35
    BDX36
    BDX37
    BDX35
    BDX36
    BDX37
    BDX35
    BDX36
    BDX37
    BDX35
    BDX36
    BDX37
    BDX35
    BDX36
    BDX37
    BDX35
    BDX36
    BDX37
    BDX36
    BDX35
    BDX36
    BDX37
    BDX35
    BDX37
    BDX36
    BDX35
    BDX36
    BDX37
    BDX35
    BDX36
    BDX37
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    130
    10
    10
    10
    50
    50
    50
    10
    10
    10
    1
    1
    1
    0,9
    0,7
    0,9
    1,2
    -
    1,2
    1,5
    1 ,6
    2,0
    2,0
    2,5
    450
    -
    µA
    µA
    mA
    I
    C
    = 5.0 A，I
    B
    ± 500毫安
    V
    CE （ SAT ）
    集电极 - 发射极饱和
    电压（*）
    I
    C
    = 7.0 A，I
    B
    = 700毫安
    I
    C
    = 10 A，I
    B
    =1A
    V
    V
    BE （ SAT ）
    基射极饱和
    电压（*）
    I
    C
    = 5.0 A，I
    B
    ± 500毫安
    I
    C
    = 7.0 A，I
    B
    = 700毫安
    I
    C
    = 10 A，I
    B
    =1A
    V
    h
    FE
    直流电流增益（ * ）
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 5亿
    -
    80
    *
    半导体COMSET
    2

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