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BDX33_12 参数 Datasheet PDF下载

BDX33_12图片预览
型号: BDX33_12
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内容描述: 互补硅功率达林顿晶体管 [COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 106 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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NPN BDX33 - BDX33A - BDX33B - BDX33C
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
集电极 - 发射极
击穿电压( * )
测试条件(S )
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
45
60
80
100
45
60
80
100
45
60
80
100
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
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-
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-
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-
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-
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最大
-
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-
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-
-
-
-
0.5
单位
V
CEO ( SUS )
I
C
-100毫安
V
V
CER ( SUS)
集电极 - 发射极
维持电压( * )
I
B
= 100毫安,
R
BE
=100Ω
V
V
CEV ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压( * )
I
C
-100毫安
V
BE
=-1.5 V
V
CB
=22V
V
CB
=30V
V
CB
=40V
V
CB
=50V
V
CB
= 22V ,T
C
=100°C
V
CB
= 30V ,T
C
=100°C
V
CB
= 40V ,T
C
=100°C
V
CB
= 50V ,T
C
=100°C
V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
mA
10
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
=-5 V
-
-
5.0
mA
I
CBO
集电极 - 基极截止
当前
V
CBO
=45 V
V
CBO
=60 V
V
CBO
=80 V
V
CBO
=100 V
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
mA
23/10/2012
半导体COMSET
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