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    BDV66 参数 Datasheet PDF下载

    BDV66图片预览
    型号： BDV66
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    内容描述： PNP硅DARLINGTONS功率晶体管 [PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 79 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BDV66的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BDV66的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDV66的Datasheet PDF文件第4页  
    BDV66-A-B-C
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    评级
    测试条件（S ）
    民
    典型值
    最大
    单位
    I
    首席执行官
    集电极截止
    当前
    V
    CE
    = -40 V，I
    B
    = 0
    V
    CE
    = -50 V，I
    B
    = 0
    V
    CE
    = -60 V，I
    B
    = 0
    V
    CE
    = -70 V，I
    B
    = 0
    V
    BE
    = -5 V，I
    C
    = 0
    V
    CB
    = -80 V
    V
    CB
    = -100 V
    V
    CB
    = -120 V
    V
    CB
    = -140 V
    V
    CB
    = -40 V
    V
    CB
    = -50 V
    V
    CB
    = -60 V
    V
    CB
    = -70 V
    I
    EBO
    发射极截止
    当前
    I
    CBO
    集电极截止
    当前
    I
    E
    = 0
    T
    j
    =25°C
    I
    E
    = 0
    T
    j
    =150°C
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    (*)
    V
    首席执行官
    I
    C
    = -100毫安，我
    B
    = 0
    h
    FE
    直流电流增益（ * ）
    V
    CE
    = -3 V，I
    C
    = -10 A
    V
    CE （ SAT ）
    集电极 - 发射极
    饱和电压（ * ）I
    C
    = -10 A，I
    B
    = -40毫安
    V
    BE
    基射
    电压（*）
    V
    CE
    = -3 V，I
    C
    = -10 A
    C
    OB
    输出电容
    V
    CB
    = -10 V，I
    E
    = 0
    f
    TEST
    = 1兆赫
    BDV66
    BDV66A
    BDV66B
    BDV66C
    BDV66
    BDV66A
    BDV66B
    BDV66C
    BDV66
    BDV66A
    BDV66B
    BDV66C
    BDV66
    BDV66A
    BDV66B
    BDV66C
    BDV66
    BDV66A
    BDV66B
    BDV66C
    BDV66
    BDV66A
    BDV66B
    BDV66C
    BDV66
    BDV66A
    BDV66B
    BDV66C
    BDV66
    BDV66A
    BDV66B
    BDV66C
    BDV66
    BDV66A
    BDV66B
    BDV66C
    -
    -
    -1
    mA
    -
    -
    -5
    mA
    -
    -
    -1
    mA
    -
    -60
    -80
    -100
    -120
    1000
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -5
    -
    -
    -
    -
    V
    -
    -
    -
    -2
    V
    -
    -
    -2,5
    V
    -
    300
    -
    pF
    26/09/2012
    半导体COMSET
    3/4

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