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    BDV65C 参数 Datasheet PDF下载

    BDV65C图片预览
    型号： BDV65C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NNP硅DARLINGTONS功率晶体管 [NNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 77 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BDV65C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BDV65C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDV65C的Datasheet PDF文件第4页  
    BDV65-A-B-C
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    评级
    测试条件（S ）
    V
    CE
    = 30 V，I
    B
    = 0
    V
    CE
    = 40 V，I
    B
    = 0
    V
    CE
    = 50 V，I
    B
    = 0
    V
    CE
    = 60 V，I
    B
    = 0
    V
    BE
    = 5 V，I
    C
    = 0
    V
    CB
    = 60 V
    V
    CB
    = 80 V
    V
    CB
    = 100 V
    V
    CB
    = 120 V
    V
    CB
    = 30 V
    V
    CB
    = 40 V
    V
    CB
    = 50 V
    V
    CB
    = 60 V
    BDV65
    BDV65A
    BDV65B
    BDV65C
    BDV65
    BDV65A
    BDV65B
    BDV65C
    BDV65
    BDV65A
    BDV65B
    BDV65C
    BDV65
    BDV65A
    BDV65B
    BDV65C
    BDV65
    BDV65A
    BDV65B
    BDV65C
    BDV65
    BDV65A
    BDV65B
    BDV65C
    BDV65
    BDV65A
    BDV65B
    BDV65C
    BDV65
    BDV65A
    BDV65B
    BDV65C
    民
    典型值
    Mx
    单位
    I
    首席执行官
    集电极截止
    当前
    -
    -
    2
    mA
    I
    EBO
    发射Cuto FF电流
    -
    -
    5
    mA
    I
    CBO
    集电极截止
    当前
    I
    E
    = 0
    T
    j
    =25°C
    -
    -
    0.4
    mA
    I
    E
    = 0
    T
    j
    =150°C
    -
    60
    80
    100
    120
    1000
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    V
    V
    首席执行官
    集电极 - 发射极
    我= 30 mA时，我
    B
    = 0
    击穿电压（ * ）
    C
    h
    FE
    直流电流增益（ * ）
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    = 5 A
    -
    V
    CE （ SAT ）
    集电极 - 发射极
    饱和电压（ * ）
    I
    C
    = 5 A，I
    B
    = 20毫安
    -
    -
    2
    V
    V
    BE
    基射
    电压（*）
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    = 5 A
    -
    -
    2,5
    V
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    1.5 %
    26/09/2012
    半导体COMSET
    3/4

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