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BDT82 参数 Datasheet PDF下载

BDT82图片预览
型号: BDT82
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内容描述: 硅功率晶体管 [SILICON POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 347 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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PNP BDT82 - BDT84 - BDT86 - BDT88
NPN BDT81 - BDT83 - BDT85 - BDT87
-V
BE
基极 - 发射极电压(1)
-I
C
= 5 A, -V
CE
=4 V
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
-
-
1.5
V
符号
-I
S / B
f
T
t
on
T
关闭
评级
第二击穿集电极
当前
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
测试条件(S )二段
-V
CE
= 50 V,T
P
= 100毫秒
-V
CE
= 10 V , -I
C
= 0.5 A , F = 1兆赫
-I
C
= 7 A, -I
B1
= I
B2
=0.7 A
-I
C
= 7 A, -I
B1
= I
B2
=0.7 A
最小典型单位的Mx
2.5
-
-
-
-
20
-
-
-
-
1
2
A
兆赫
µs
( 1 )脉冲宽度= 300
µs, δ
< = 2 %
机械数据案例TO- 220
尺寸
mm
A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
P
R
S
T
U
引脚1 :
引脚2 :
3脚:
9,86
15,73
13,37
6,67
4,44
4,21
2,99
17,21
1,29
3,6
1,36
0,46
2,1
5
2,52
0,79
英寸
0,39
0,62
0,52
0,26
0,17
0,16
0,11
0,68
0,05
0,14
0,05
0,02
0,08
0,19
0,098
0,03
BASE
集热器
辐射源
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半导体COMSET
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