BDT81_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BDT81_12
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内容描述：	硅功率晶体管 [SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 151 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

NPN BDT81 - BDT83 - BDT85 - BDT87

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

S / B

关闭

评级

第二击穿

集电极电流

跃迁频率

开启时间

打开-O FF时间

测试条件（S ）二段

= 50 V ，T

= 100毫秒

= 10 V，I

= 0.5 A ， F = 1兆赫

= -7 A

= -I

= 0.7 A

民

2.5

典型值

最大

单位

兆赫

µs

（ * ）脉冲宽度= 300微秒，

< = 2 ％

09/11/2012

半导体COMSET

3|4

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