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BDT65A 参数 Datasheet PDF下载

BDT65A图片预览
型号: BDT65A
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内容描述: 硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 111 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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半导体
BDT65-A-B-C
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件(S )
典型值
最大
单位
I
E
= 0
V
CB
= V
CBO
最大
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
E
= 0
V
CB
= 1/2 V
CBO
最大
T
J
= 150 °C
I
E
= 0
V
CE
= 1/2 V
首席执行官
最大
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5 V
I
C
= 0
V
首席执行官
集电极 - 发射极
击穿电压
I
C
= 30毫安
I
B
= 0
I
C
= 5 A
I
B
= 20毫安
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压( * )
I
C
= 10 A
I
B
= 100毫安
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
-
-
0.4
mA
-
-
2
mA
-
-
0.2
mA
-
60
80
100
120
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
2
mA
V
V
-
-
3
26/09/2012
半导体COMSET
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