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BDT64C 参数 Datasheet PDF下载

BDT64C图片预览
型号: BDT64C
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内容描述: 硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 109 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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半导体
BDT64-A-B-C
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件(S )
典型值
最大
单位
I
E
= 0,V
CB
= -V
CBO
最大
I
CBO
集电极截止
当前
I
E
= 0,V
CB
= -1/2
V
CBO
最大
T
J
= 150 °C
I
E
= 0, V
CE
= -1/2
V
首席执行官
最大
I
首席执行官
集电极截止
当前
I
EBO
发射极截止
当前
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
V
首席执行官
集电极 - 发射极
I = -30毫安,我
B
= 0
击穿电压
C
I
C
= -5 A,I
B
= -20毫安
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压
(*)
I
C
= -10 A,I
B
= -100毫安
BDT64
BDT64A
BDT64B
BDT64C
BDT64
BDT64A
BDT64B
BDT64C
BDT64
BDT64A
BDT64B
BDT64C
BDT64
BDT64A
BDT64B
BDT64C
BDT64
BDT64A
BDT64B
BDT64C
BDT64
BDT64A
BDT64B
BDT64C
BDT64
BDT64A
BDT64B
BDT64C
-
-
-0.4
mA
-
-
-2
mA
-
-
0.2
mA
-
-60
-80
-100
-120
-
-
-
-
-
-
-
-5
-
-
-
-
-2
mA
V
V
-
-
-3
26/09/2012
半导体COMSET
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