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BD909 参数 Datasheet PDF下载

BD909图片预览

型号：	BD909
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅功率晶体管 [SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 103 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

浏览型号BD909的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号BD909的Datasheet PDF文件第3页

半导体

BD909 - BD911

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

价值

符号

评级

测试条件（S ）

最小典型最大

I

CBO

集电极截止

当前

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极

维持电压（ * ）

集电极 - 发射极

饱和电压（ * ）

基射

饱和电压（ * ）

基射极电压

(*)

直流电流增益（ * ）

直流电流增益（ * ）

直流电流增益（ * ）

跃迁频率

BD909

BD911

BD909

T

J

= 150°C

BD911

BD909

BD911

BD909

V

EB

= 5 V，I

C

= 0

BD911

BD909

I

B

= 0, I

C

= 0.1 A

BD911

BD909

I

C

= 5 A，I

B

= 500毫安

BD911

BD909

I

C

= 10 A，I

B

= 2.5 A

BD911

BD909

I

C

= 10 A，I

B

= 2.5 A

BD911

BD909

I

C

= 5A ，V

CE

= 4 V

BD911

BD909

I

C

= 0.5A ，V

CE

= 4 V

BD911

BD909

I

C

= 5A ，V

CE

= 4 V

BD911

BD909

I

C

= 10A ，V

CE

= 4 V

BD911

BD909

I

C

= 0.5A ，V

CE

= 4 V

BD911

T

J

= 25°C

V

CB

= 80 V

V

CB

= 100 V

V

CB

= 80 V

V

CB

= 100 V

V

CE

= 40 V

V

CE

= 50 V

-

-

-

-

80

100

-

-

-

-

40

15

5

3

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

mA

5

1

1

-

-

1

V

3

2.5

1.5

250

150

-

-

兆赫

-

V

V

mA

mA

V

单位

I

首席执行官

I

EBO

V

CE0sust

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE

h

FE

h

FE

h

FE

f

T

（ * ）脉冲宽度

≈

300

µs,

占空比

∠

1.5%

25/09/2012

半导体COMSET

2|3

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