BD896 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD896
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内容描述：	硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 107 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

半导体

BD896 - BD898 - BD900 - BD902

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

BE（上）

评级

基射极电压

= -3 A ，V

= -3 V

(*)

BD896

BD898

BD900

BD902

BD896

BD898

BD900

BD902

BD896

BD898

BD900

BD902

民

典型值

最大

-2.5

单位

直流电流增益（ * ）

= -3.0 V

= -3 A

750

ECF

C- ê二极管正向

电压

= -8 A

-3.5

开关时间

符号

关闭

评级

开启时间

打开-O FF时间

测试条件（S ）

= -3 A ，V

BE （OFF）的

= 3.5 V

BON

= -I

B关

= -12毫安，R

= 10

Ω

民

典型值

最大

单位

µs

（ * ）脉冲宽度

≈

300

µs,

占空比

∠

2.0%

热特性

符号

THJ -C

THJ -A

评级

热阻结到外壳

热阻结到自由空气

价值

1.79

62.5

单位

° C / W

25/09/2012

半导体COMSET

3|4

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