BD684TO3_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD684TO3_12
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内容描述：	硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 77 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

PNP BD684 TO3 （临时部件号）

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

评级

测试条件（S ）

=0 , V

= - 140 V

民

750

-0,8

典型值

2000

750

-1,5

0,8

4,5

最大

-0,2

单位

CBO

首席执行官

EBO

CE （ SAT ）

的hFE

（SB）

集电极截止电流

发射极截止offcurrent

集电极 - 发射极

饱和电压（ * ）

直流电流增益（ * ）

基射极电压（ * ）

小信号电流增益

Ut的截止频率

二极管的正向电压

第二击穿

集电极电流

开启时间

打开-O FF时间

=0 , V

= -1/2V

CBOMAX

= 150°C

=0 , V

= -1/2V

CEOMAX

=0, V

=-5 V

= -1.5 A，I

= -6毫安

= -3 V，I

= -500毫安

= -3 V，I

=-1,5 A

= -3 V，I

=-4 A

= -3 V，I

=-1,5 A

= -3 V，I

= -1.5 A， F = 1兆赫

= -3 V，I

=-1,5 A

= -50 V，T

= 20ms的，非代表。

无需散热器

-I

CON

= -1,5A ，我

BON

= -I

B关

= -6mA

=30V

-1

-0,2

-5

-2

-2,5

千赫

µs

关闭

(*)

脉冲的条件下测得的：

<300µs,

<2%.

临时数据表

23/10/2012

半导体COMSET

2|3

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