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BD683 参数 Datasheet PDF下载

BD683图片预览
型号: BD683
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内容描述: 硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 3 页 / 193 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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NPN BD683
PNP BD684
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
V
BE
h
fe
f
的hFE
V
F
I
(SB)
t
on
t
关闭
评级
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止offcurrent
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件(S )
I
E
=0 ,
V
CB
= V
CEOMAX
=120 V
I
E
=0 ,
V
CB
= 1/2V
CBOMAX
= 70V ,T
j
= 150°C
I
B
=0 ,
V
CE
= 1/2V
CEOMAX
=60 V
I
C
=0, V
EB
=5 V
I
C
= 1.5 A,I
B
= 6毫安
最小值典型值
-
-
-
-
-
-
750
-
-
10
-
0,8
-
-
-
-
-
-
-
2200
-
1500
-
-
60
-
0,8
4,5
最大
0,2
1
0,2
5
2,5
-
-
-
2,5
-
-
-
2
8
单位
mA
mA
mA
V
V
CE
= 3 V,I
C
± 500毫安
V
CE
= 3 V,I
C
=1,5 A
直流电流增益
V
CE
= 3 V,I
C
=4 A
V
CE
= 3 V,I
C
=1,5 A
基射极电压( 1&2 )
V
CE
= 3 V,I
C
= 1.5 A, F = 1兆赫
小信号电流增益
V
CE
= 3 V,I
C
=1,5 A
Ut的截止频率
I
F
=1,5 A
二极管的正向电压
第二集电极击穿
V
CE
= 50 V,T
P
= 20ms的,非共和国,无
散热器
当前
V
千赫
A
µs
开启时间
I
CON
= 1,5A ,我
BON
= -I
B关
= 6毫安,V
CC
=30V
打开-O FF时间
脉冲条件下测得的1 :
t
P
<300µs,
δ
<2%.
2.
V
BE
降低了约3,6毫伏/ K随温度的升高。
机械数据案例TO- 126
尺寸
mm
A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
P
最大
7.4
7.8
10.5
10.8
2.4
2.7
0.7
0.9
2.2典型。
0.49
0.75
4.4典型。
2.54 TYP 。
15.7 TYP 。
1.2典型。
3.8典型。
3.0
3.2
引脚1 :
引脚2 :
3脚:
英寸
最大
0.295
0.307
0.413
0.425
0.094
0.106
0.027
0.035
0.087 (典型值) 。
0.019
0.029
0.173 (典型值) 。
0.100 TYP 。
0.618典型。
0.047 TYP 。
0.149 (典型值) 。
0.118
0.126
辐射源
集热器
BASE
半导体COMSET
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