NPN BD675 ， BD677 ， BD679 ， BD681
PNP BD676 ， BD678 ， BD680 ， BD682
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
I
E
=0 ,
V
CB
= V
CBOMAX
=60 V
I
E
=0 ,
V
CB
= V
CBOMAX
=80 V
I
E
=0 ,
V
CB
= V
CBOMAX
=100 V
I
E
=0 ,
V
CB
= V
CBOMAX
=120 V
I
E
=0 ,
V
CB
=�½V
CBOMAX
= 30V ，T
j
=
150°C
I
E
=0 ,
V
CB
=�½V
CBOMAX
= 40V ，T
j
=
150°C
I
E
=0 ,
V
CB
=�½V
CBOMAX
= 50V ，T
j
=
150°C
I
E
=0 ,
V
CB
=�½V
CBOMAX
= 60V ，T
j
=
150°C
I
B
=0 ,
V
CE
= �½V
CEOMAX
=30 V
I
B
=0 ,
V
CE
= �½V
CEOMAX
=40 V
I
B
=0 ,
V
CE
= �½V
CEOMAX
=50 V
I
B
=0 ,
V
CE
= �½V
CEOMAX
=60 V
I
C
=0, -V
EB
=5 V
BD675
BD677
BD679
BD681
BD675
BD677
BD679
BD681
BD675
BD677
BD679
BD681
最小值典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
750
-
-
10
-
-
0,8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2200
-
1500
-
-
60
1,5
-
0,3
1,5
M
单位
x
0,2
0,2
0,2
0,2
1
1
1
1
0,2
0,2
0,2
0,2
5
2,5
-
-
-
2,5
-
-
-
-
1.5
5
千赫
V
A
µs
mA
I
CBO
集电极截止电流
I
首席执行官
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
V
BE
h
fe
f
的hFE
V
F
集电极截止电流
发射极截止offcurrent
集电极 - 发射极饱和
电压
直流电流增益
基射极电压（ 1&2 ）
小信号电流增益
mA
mA
V
I
C
= 1.5 A ， -I
B
=马6 （ BD675 ，我
C
=2 A )
V
CE
= 3 V，I
C
± 500毫安
V
CE
= 3 V，I
C
=1,5 A
V
CE
= 3 V，I
C
=4 A
V
CE
= 3 V，I
C
= 1.5 A（ BD675 ，我
C
=2 A )
V
CE
= 3 V，I
C
= 1.5 A， F = 1兆赫（ BD675 ;
I
C
=2 A )
V
CE
= 3 V，I
C
= 1.5 A（ BD675 ，我
C
=2 A )
I
F
= 1.5 A（ BD675 ，我
F
=2 A )
-V
CE
= 50 V，T
P
= 20ms的，非共和国，无
散热器
V
Ut的截止频率
二极管的正向电压
第二击穿
I
（SB）
集电极电流
开启时间
t
on
-I
CON
= 1,5A ， -I
BON
= I
B关
= 6毫安，
打开-O FF时间
t
关闭
脉冲条件下测得的1 ：
t
P
<300µs,
δ
<2%.
2.
V
BE
降低了约3,6毫伏/ K随温度的升高。
半导体COMSET
2
COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
