PNP BD676 / A - BD678 / A - BD680 / A - BD682 / A
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
I
E
=0 , -V
CB
= - 45 V
I
E
=0 , -V
CB
= - 60 V
I
E
=0 , -V
CB
= - 80 V
I
E
=0 , -V
CB
= - 100 V
I
E
=0 , -V
CB
= - 45V ，T
j
= 150°C
I
E
=0 , -V
CB
= - 60V ，T
j
= 150°C
I
E
=0 , -V
CB
= - 80V ，T
j
= 150°C
I
E
=0 , -V
CB
= - 100V
T
j
= 150°C
I
B
=0 , -V
CE
= - ＆ frac12 ; V
CEOMAX
BD676/A
BD678/A
BD680/A
BD682/A
BD676/A
BD678/A
BD680/A
BD682/A
BD676/A
BD678/A
BD680/A
BD682/A
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
60
80
100
-
-
-
750
-
750
-
-
10
-
-
0,8
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
最大
0,2
0,2
0,2
0,2
2
2
2
2
0,5
0,5
0,5
0,5
5
-
-
-
-
2,5
单位
-I
CBO
集电极截止
当前
mA
-I
首席执行官
集电极截止
当前
发射cut-
offcurrent
mA
-I
EBO
I
C
=0, -V
EB
=5 V
mA
-V
CEO （ SUS ）
-V
CE （ SAT ）
h
FE
-V
BE
h
fe
f
的hFE
V
F
-I
（SB）
BD676/A
BD678/A
BD680/A
BD682/A
BD676 ， BD678 ， BD680 ， BD682
集电极 - 发射极
-I
C
= 1.5 A ， -I
B
= 30毫安
饱和
BD676A ， BD678A ， BD680A ， BD682A
电压
-I
C
= 2 A， -I
B
= 40毫安
BD676 ， BD678 ， BD680 ， BD682
-V
CE
= 3 V ， -I
C
± 500毫安
BD676 ， BD678 ， BD680 ， BD682
-V
CE
= 3 V ， -I
C
=1,5 A
直流电流增益
BD676 ， BD678 ， BD680 ， BD682
-V
CE
= 3 V ， -I
C
=4 A
BD676A ， BD678A ， BD680A ， BD682A
-V
CE
= 3 V ， -I
C
=2 A
BD676 ， BD678 ， BD680 ， BD682
-V
CE
= 3 V ， -I
C
=1,5 A
基射
Voltage(1&2)
BD676A ， BD678A ， BD680A ， BD682A
-V
CE
= 3 V ， -I
C
=2 A
小信号
-V
CE
= 3 V ， -I
C
= 1.5 A， F = 1兆赫
电流增益
UT-截止频率-V
CE
= 3 V ， -I
C
=1,5 A
二极管正向
I
F
=1,5 A
电压
二线
-V
CE
= 50 V，T
P
= 20ms的，非共和国，无
击穿
散热器
集电极电流
集电极 - 发射极
sustaning
I
B
=0 , -I
C
-50毫安
电压
半导体COMSET
V
-
-
2200
-
650
-
-
-
-
60
1,5
-
V
2.8
-
-
-
-
2,5
V
2.5
-
-
-
-
千赫
V
A
2
COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
