BD649 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD649
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内容描述：	硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 333 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

半导体

BD643/645/647/649/651

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

评级

测试条件（S ）

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

最小典型单位的Mx

=0,V

首席执行官

最大

0.1

CBO

收藏家Cuto FF电流

=0,V

=1/2 V

CBO

最大，

=150°C

首席执行官

收藏家Cuto FF电流

=0, V

=1/2 V

首席执行官

最大

0.2

EBO

发射Cuto FF电流

= 5 V，I

5.0

= 4 A，I

= 16毫安

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

= 3 A，I

= 12毫安

= 5 A，I

-50毫安

2.5

BE （ SAT ）

基射极饱和

电压（*）

= 12 A，I

-50毫安

第3 5

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