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BD644_12 参数 Datasheet PDF下载

BD644_12图片预览
型号: BD644_12
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内容描述: 硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 111 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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半导体
BD644 - 646 - 648 - 650 - 652
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件(S )
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
典型值
最大
单位
-I
E
=0,-V
CB
=-V
首席执行官
最大
-I
CBO
集电极截止
当前
-I
E
=0,-V
CB
=1/2 -
V
CBO
最大值,T
J
=150°C
-
-
0.1
mA
-
-
1
mA
-I
首席执行官
集电极截止
当前
-I
E
=0, -V
CE
=1/2 -
V
首席执行官
最大
-
-
0.2
mA
-I
EBO
发射Cuto FF电流
-V
EB
= 5 V , -I
C
=0
-
-
5.0
mA
-I
C
= 4 A, -I
B
= 16毫安
-I
C
= 3 A, -I
B
= 12毫安
-V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压( * )
-I
C
= 5 A, -I
B
-50毫安
-
-
-
-
2
2
V
-
-
2.5
-V
BE ( SAT )
基射
饱和电压( * )
-I
C
= 12 A, -I
B
-50毫安
-
-
3
V
18/10/2012
半导体COMSET
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