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BD410 参数 Datasheet PDF下载

BD410图片预览
型号: BD410
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内容描述: NPN EPITAXILA硅功率晶体管 [NPN EPITAXILA SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 72 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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半导体
BD410
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
CES
V
CE ( SAT )
V
BE
h
FE
评级
集电极 - 发射极
击穿电压( * )
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 发射极
饱和电压( * )
基射极电压( * )
直流电流增益( * )
测试条件(S )
325
500
5
-
-
-
25
30
20
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
100
0.5
1.5
-
240
-
单位
V
V
V
µA
V
V
-
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
I
C
= 0.5毫安,我
E
= 0
I
E
= 50 μA ,我
C
= 0
V
CE
= 300 V,I
B
= 0
I
C
= 100毫安,我
B
= 10毫安
I
C
= 100毫安,我
B
= 10毫安
I
C
= 5毫安, V
CE
= 10 V
I
C
= 50 mA时, V
CE
= 10 V
I
C
= 100毫安, V
CE
= 10 V
开关时间。
符号
C
敖包
C
IBO
评级
输出电容
输入电容
测试条件(S )
-
-
典型值
5.5
90
Mx
-
单位
pF
I
E
= 0, V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
I
E
= 0, V
CB
= 0.5 V , F = 1兆赫
-
(*)这些参数必须采用脉冲技术来测量,叔
p
300
µs,
占空比
2%
25/09/2012
05/11/2012
半导体COMSET
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