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    BD202_12 参数 Datasheet PDF下载

    BD202_12图片预览
    型号： BD202_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SILCON外延基功率晶体管 [SILCON EPITAXIAL-BASE POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 151 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BD202_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BD202_12的Datasheet PDF文件第3页  
    PNP BD202 - BD204
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    -I
    首席执行官
    -I
    CBO
    -I
    EBO
    -V
    CBO
    -V
    首席执行官
    -V
    EBO
    评级
    收藏家Cuto FF电流
    测试条件（S ）
    -V
    CE
    = 30 V，I
    B
    =0V
    民
    -
    -
    -
    60
    45
    60
    5
    -
    -
    -
    -
    30
    30
    25
    7
    1.5
    2.5
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    0.2
    1
    0.5
    -
    -
    -
    -
    1
    1.5
    2
    1.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    单位
    mA
    mA
    mA
    V
    V
    V
    -V
    CE （ SAT ）
    -V
    BE （ SAT ）
    -V
    BE
    h
    FE
    f
    的hFE
    f
    T
    I
    S / B
    h
    FE1
    /h
    FE2
    t
    on
    T
    关闭
    BD202
    BD204
    BD202
    收藏家Cuto FF电流
    -V
    CB
    = 40 V，I
    E
    =0V
    T
    j
    =150°C
    BD204
    BD202
    发射Cuto FF电流
    -V
    BE
    = 5 V，I
    C
    =0
    BD204
    BD202
    集电极 - 基极击穿
    -I
    C
    = 1米，我
    E
    = 0
    电压
    BD204
    BD202
    集电极发射极
    -I
    C
    = 200 mm的，我
    B
    = 0
    击穿电压（ * ）
    BD204
    BD202
    发射极基极击穿
    -I
    E
    = 1毫安，我
    C
    =0
    电压
    BD204
    BD202
    -I
    C
    = 3 A， -I
    B
    = 300毫安
    BD204
    集电极 - 发射极饱和
    电压（*）
    BD202
    -I
    C
    = 6 A， -I
    B
    = 600毫安
    BD204
    BD202
    基射极饱和
    -I
    C
    = 6 A， -I
    B
    = 600毫安
    电压（*）
    BD204
    BD202
    基极发射极电压（ * ）
    -I
    C
    = 3 A， -V
    CE
    =2 V
    BD204
    -I
    C
    = 3 A， -V
    CE
    =2 V
    BD202
    直流电流增益（ * ）
    -I
    C
    = 2 A， -V
    CE
    =2 V
    BD204
    BD202
    -I
    C
    = 300毫安
    截止频率
    -V
    CE
    =3 V
    BD204
    -I
    C
    = 300毫安
    BD202
    跃迁频率
    -V
    CE
    =3 V
    BD204
    F = 1MHz的
    正向偏压第二
    -V
    CE
    = 40 V，T
    p
    = 0.1秒BD202
    集电极击穿
    T
    AMB
    = 25 °C
    BD204
    当前
    BD202
    直流电流增益
    -I
    C
    -1 A，V
    CE
    =2 V
    BD204
    BD202
    开启时间
    BD204
    -I
    CON
    =2 A
    -I
    BON
    = I
    B关
    = 200毫安BD202
    打开-O FF时间
    BD204
    V
    V
    -
    千赫
    兆赫
    A
    -
    µs
    2
    （ * ）脉冲条件： TP < 300
    µs, δ
    =2%
    18/10/2012
    半导体COMSET
    3/3

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