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BD201 参数 Datasheet PDF下载

BD201图片预览
型号: BD201
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内容描述: SILCON外延基电力TRANSITORS [SILCON EPITAXIAL-BASE POWER TRANSITORS]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 190 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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PNP BD202 - BD204
NPN BD201 - BD203
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
-I
首席执行官
-I
CBO
-I
EBO
-V
首席执行官
-V
BE
-V
CEK
h
FE
-V
CE ( SAT )
-V
BE ( SAT )
评级
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
测试条件(S )
-V
CE
= 30 V,I
B
=0V
-V
CB
= 40 V,I
E
= 0V ,T
j
=150°C
-V
BE
= 5.0 V,I
C
=0
最小典型单位的Mx
BD202
BD204
BD202
BD204
BD202
BD204
BD202
BD204
BD202
BD204
BD202
BD204
BD202
BD204
BD202
BD204
BD202
BD204
BD202
BD204
-
-
-
45
60
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
-
-
0.2
1
0.5
-
-
1.5
-
-
-
1
1.5
2
V
mA
mA
mA
V
V
V
-
集电极发射极击穿
I
C
= 0.2 A,I
B
=0V
电压
基极发射极电压( 1 )
膝盖电压( 1)
直流电流增益( 1 )
集电极 - 发射极饱和
电压(1)
基射极饱和
电压(1)
-I
C
= 3 A, -V
CE
=2.0 V
-I
C
= 3 A, -I
B
=价值这
-I
C
= 3.3时-V
CE
=2.0 V
-I
C
= 3 A, -V
CE
=2.0 V
-I
C
= 2 A, -V
CE
=20 V
-I
C
= 3 A, -I
B
=0.3 A
-I
C
= 6 A, -I
B
=0.6 A
-I
C
= 6 A, -I
B
=0.6 A
符号
f
的hFE
f
T
I
S / B
h
FE1
/h
FE2
t
on
t
关闭
评级
截止频率
跃迁频率
测试条件(S )
-I
C
= 0.3 A, ​​-V
CE
=3.0 V
-I
C
= 0.3 A, ​​-V
CE
=3.0 V
F = 1MHz的
最小典型单位的Mx
BD201
BD203
BD201
BD203
BD201
BD203
BD201
BD203
BD201
BD203
BD201
BD203
25
7
1.5
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
µs
2
千赫
兆赫
A
-
正向偏压第二
V
CE
= 40 V,T
p
= 0.1 s
T
AMB
= 25 °C
击穿集电极电流
直流电流增益口粮
-I
C
= 1 A, -V
CE
=2.0 V
匹配互补对
开启时间
打开-O FF时间
−I
CON
=2 A
−I
BON
=I
B关
=0.2 A
( 1 )脉冲条件: TP < 300
µs, δ
=2%
半导体COMSET
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