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    BD181_12 参数 Datasheet PDF下载

    BD181_12图片预览
    型号： BD181_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅晶体管功率LINERAR和交换应用 [NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 3 页 / 78 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BD181_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BD181_12的Datasheet PDF文件第3页  
    BD181 - BD182 - BD183
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    评级
    测试条件（S ）
    BD181
    BD182
    BD183
    BD181
    BD182
    BD183
    BD181
    BD182
    BD183
    BD181
    BD182
    BD183
    BD181
    BD182
    BD183
    BD181
    BD182
    BD183
    BD181
    BD182
    BD183
    民
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    45
    60
    80
    -
    -
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    55
    70
    85
    15
    20
    20
    20
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    单位
    I
    EBO
    发射基截止电流
    V
    EB
    = 7 V，I
    C
    =0
    V
    CB
    =45 V
    T
    j
    =200°C
    V
    CB
    =60 V
    T
    j
    =200°C
    V
    CB
    =80 V
    T
    j
    =200°C
    5.0
    2.0
    5.0
    5.0
    -
    -
    -
    1.0
    1.0
    1.0
    -
    -
    -
    -
    70
    70
    70
    A
    I
    CBO
    集电极 - 基极截止
    当前
    mA
    V
    CEO （ BR ）
    集电极 - 发射极击穿
    I
    C
    = 200毫安，我
    B
    =0
    电压（*）
    集电极 - 发射极饱和
    电压（*）
    I
    C
    = 3 A，I
    B
    =0.3 A
    I
    C
    = 4 A，I
    B
    =0.4 A
    I
    C
    = 3 A，I
    B
    =0.3 A
    V
    V
    CE （ SAT ）
    V
    V
    BR （ CER ）
    集电极 - 发射极击穿我
    C
    ± 200毫安
    电压（*）
    R
    BE
    =100
    Ω
    集电极 - 发射极击穿
    V
    CE
    = 4.0 V，I
    C
    =3.0 A
    电压（*）
    静态正向电流
    传输比（ * ）
    V
    CE
    = 4.0 V，I
    C
    =3.0 A
    V
    CE
    = 4.0 V，I
    C
    =4.0 A
    V
    CE
    = 4.0 V，I
    C
    =3.0 A
    V
    f
    的hFE
    千赫
    h
    FE
    -
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    18/10/2012
    半导体COMSET
    2/3

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