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BD137 参数 Datasheet PDF下载

BD137图片预览

型号：	BD137
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内容描述：	硅平面外延功率晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	3 页 / 73 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

浏览型号BD137的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号BD137的Datasheet PDF文件第3页

NPN BD135 - BD137 - BD139

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

评级

测试条件（S ）

民

-

-

-

-

-

-

-

45

60

80

-

25

40

63

100

25

-

-

典型值

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

250

最大

0,1

0,1

0,1

10

10

10

10

-

-

-

0,5

-

250

160

250

-

1

-

单位

I

E

=0 , V

CB

= 30 V

I

CBO

集电极截止

当前

I

E

=0 ,V

CB

= 30V

T

j

= 125°C

I

C

=0, V

EB

=5 V

I

B

=0 , I

C

= 30毫安

I

C

= 0.5 A，I

B

-50毫安

V

CE

= 2 V，I

C

± 5毫安

h

FE

直流电流增益（ 1 ）

BD135

BD137

BD139

BD135

BD137

BD139

BD135

BD137

BD139

µA

I

EBO

V

CEO （ SUS ）

V

CE （ SAT ）

发射极截止offcurrent

集电极 - 发射极

sustaning电压（ 1）

集电极 - 发射极

饱和电压（ 1）

µA

V

V

BDxxx

V

CE

= 2 V，I

C

= 150毫安BDxxx -10

BDxxx -16

V

CE

= 2 V，I

C

± 500毫安

V

CE

= 2 V，I

C

± 500毫安

V

CE

= 5 V，I

C

= 50 mA时， F = 35 MHz的

V

BE

f

T

基射

Voltage(1)

跃迁频率

V

兆赫

脉冲条件下测得的1 ：

t

P

<300µs,

δ

<2%.

25/09/2012

27/08/201225/09/2012

半导体COMSET

2|3

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