BD130_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD130_12
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内容描述：	硅晶体管HOMOBASE [SILICON TRANSISTOR HOMOBASE]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 75 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

NPN BD130

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

CEO （ BR ）

CE （ SAT ）

CEX

EBO

21E

评级

集电极 - 发射极击穿

电压（*）

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

集电极 - 发射极截止电流

发射基截止电流

基射极电压（ * ）

跃迁频率

静态正向电流传输

比（ *）

测试条件（S ）

= 200毫安，我

= 4 A，I

=0.4 A

=100 V, V

=-1.5 V

=100 V, V

=-1.5 V

例

=150°C

=7 V

= 4.0 A，V

=4.0V

= 0.1 A，V

=4 V

= 4.0 V，I

=4.0 A

民

典型值

最大

单位

0.5

0.95

1.1

0.5

5.0

1.8

兆赫

（ * ）脉冲宽度

≈

300

µs,

占空比

∠

2.0%

15/11/2012

半导体COMSET

2|3

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