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    BCY78 参数 Datasheet PDF下载

    BCY78图片预览
    型号： BCY78
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    内容描述： 硅平面外延晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 246 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BCY78的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BCY78的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BCY78的Datasheet PDF文件第4页  
    PNP BCY78 - BCY79
    电气特性
    TJ = 25 ° C除非另有说明
    符号
    I
    CES
    I
    CES
    I
    EBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    评级
    收藏家Cuto FF电流
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    测试条件（S ）
    V
    CB
    =-35 V, V
    BE
    =0V
    V
    CB
    =-25 V, V
    B
    =0V
    V
    CB
    =-35 V
    V
    BE
    =0V,T
    j
    =150°C
    V
    CB
    =-25 V
    V
    BE
    =0V,T
    j
    =150°C
    V
    BE
    = -4.0 V，I
    C
    =0
    最小值典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.12
    -04
    -0.7
    -0.85
    -0.55
    -0.65
    -0.68
    -0.75
    BCY79IX
    BCY78IX
    >40
    Typ.270
    >250
    <460
    >160
    <630
    >60
    >250
    <500
    Mx
    -20
    -10
    -20
    -
    -
    -
    -0.25
    -08
    单位
    nA
    µA
    nA
    V
    V
    BCY79
    BCY78
    BCY79
    BCY78
    BCY79
    BCY78
    BCY79
    BCY78
    BCY79
    BCY78
    BCY79
    BCY78
    BCY79
    BCY78
    BCY79
    BCY78
    BCY79
    BCY78
    BCY79
    BCY78
    BCY79
    BCY78
    BCY79
    BCY78
    BCY79
    BCY78
    -
    -45
    -32
    -5
    -
    -
    -0.6
    -0.7
    -
    -0.6
    -
    -
    集电极发射极击穿
    I
    C
    = -2毫安，我
    B
    =0
    电压
    发射极基极击穿
    I
    E
    = -1μA ，我
    C
    =0
    电压
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    I
    C
    = -10毫安，我
    B
    = -0.25毫安
    I
    C
    = -100毫安，我
    B
    = -2.5毫安
    I
    C
    = -10毫安，我
    B
    = -0.25毫安
    I
    C
    = -100毫安，我
    B
    = -2.5毫安
    I
    C
    = -10 μA ，V
    CE
    =-5 V
    I
    C
    = -2毫安，V
    CE
    =-5 V
    V
    -0.85
    -1.2
    -
    -0.75
    V
    -
    -
    BCY79X
    BCY78X
    >100
    Typ.390
    >380
    <630
    >240
    <1000
    >60
    >350
    <700
    V
    BE （ SAT ）
    基射极饱和
    电压
    V
    BE
    基射极电压
    I
    C
    = -10毫安，V
    CE
    =-1 V
    I
    C
    = -100毫安，V
    CE
    =-1 V
    I
    C
    = -10 μA ，V
    CE
    =-5 V
    h
    FE
    直流电流增益
    I
    C
    = -2毫安，V
    CE
    =-5 V
    I
    C
    = -10毫安，V
    CE
    =-1 V
    h
    fe
    小信号
    电流增益
    I
    C
    = -100毫安，V
    CE
    =-1 V
    I
    C
    = 2毫安， V
    权证
    =5 V
    F = 1kHz时
    BCY79VII
    BCY78VII
    -
    Typ.140
    >120
    <220
    >80
    -
    >40
    >125
    <250
    BCY79VIII
    BCY78VIII
    >30
    Typ.200
    >180
    <310
    >120
    <400
    >45
    >175
    <350
    半导体COMSET
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