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BCY58_12 参数 Datasheet PDF下载

BCY58_12图片预览
型号: BCY58_12
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内容描述: 硅平面外延晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 86 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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NPN BCY58 - BCY59
电气特性
TJ = 25 ° C除非另有specifie
符号
f
T
F
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
C
C
C
E
评级
过渡
频率
噪声系数,
RS=2kΩ
延迟时间
上升时间
启动时间
贮存时间
下降时间
关闭时间
延迟时间
上升时间
启动时间
贮存时间
下降时间
关闭时间
集热器
电容
测试条件(S )
I
C
= 10 mA时, V
CE
=5 V
F = 100MHz的
I
C
= 200 μA ,V
CE
=5 V
F = 1kHz时, B = 200Hz的
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
BCY59
BCY58
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
2
35
50
85
400
80
480
5
50
55
250
200
450
-
-
Mx
-
6
-
-
150
单位
兆赫
db
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
-I
BM
= 1毫安, V
BB
=3.6 V
R1 = R2 = 5kΩ的
R
L
= 990
ns
-
-
800
-
-
150
ns
-
-
800
5
15
pF
pF
I
C
= 100毫安,我
B
= 10毫安
-I
BM
= 10 mA时, V
BB
=5 V
R1 = 500Ω
,
R1 = 700Ω
R
L
= 990
I
E
= I
e
= 0 ,V
CB
=10 V
F = 1MHz的
I = I = 0,V
EB
=0.5 V
发射极电容
C c
F = 1MHz的
18/10/2012
半导体COMSET
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