PNP BC160 / 10 - BC160 / 16
PNP BC161 / 10 - BC161 / 16
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
-I
CES
-V
CB0
-V
CE0
(*)
-V
EB0
-V
CE （ SAT ）
(*)
评级
集电极 - 截止电流
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
测试条件（S ）
I
E
= 0 ;V
CES
= 40 V
I
E
= 0 ;V
CES
= 60 V
I
E
= 0 ; V
V
CES
=40 V
T
AMB
= 150°c
V
CES
=60 V
民
-
-
40
60
40
60
5
-
-
-
-
-
-
40
63
100
-
-
-
50
-
-
-
典型的Mx单位
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.35
0.6
1
110
80
120
140
100
160
26
20
30
-
15
-
-
100
100
-
-
-
-
-
nA
µA
V
V
V
-I
C
= 100 µA
I
E
= 0
-I
C
= 10毫安
I
B
= 0
-I
E
= 100 µA
I
C
= 0
-I
C
= 100毫安， -I
B
= 10毫安
-I
C
= 500毫安， -I
B
= 50毫安
-I
C
= 1 ， -I
B
= 100毫安
-I
C
= 1 A， -V
CE
= 1V
-I
C
= 100 μA ， -V
CE
= 1 V
BC160
BC161
BC160
BC161
BC160
BC161
BC160
BC161
BC160
BC161
-V
BE
(*)
10克
16克
10克
16克
10克
16克
h
FE
(*)
直流电流增益
-I
C
= 100毫安， -V
CE
= 1 V
-I
C
= 1 A， -V
CE
= 1 V
f
T
C
CBO
t
关闭
t
on
跃迁频率
集电极 - 基
电容
关断时间
导通时间
-I
C
= 50毫安， -V
CE
= 10 V
I
E
= 0 ; -V
CB
= 20V
F = 1 MH
Z
-I
C
-100毫安
-I
B1
=-I
B2
± 5毫安
-I
C
-100毫安
-I
B1
= 1毫安
1
1.7
-
-
-
250
160
250
-
-
-
-
30
650
500
V
-
MH
Z
pF
ns
ns
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 1 ％
半导体COMSET
2/3
COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
