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    BC160_12 参数 Datasheet PDF下载

    BC160_12图片预览
    型号： BC160_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管 [GENERAL PURPOSE TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 78 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BC160_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC160_12的Datasheet PDF文件第3页  
    PNP BC160 - BC161
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    评级
    测试条件（S ）
    BC160
    BC161
    BC160
    BC161
    BC160
    BC161
    BC160
    BC161
    BC160
    BC161
    民
    -
    -
    40
    60
    40
    60
    5
    -
    -
    -
    10克
    16克
    10克
    16克
    10克
    16克
    -
    -
    63
    100
    -
    -
    50
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.1
    0.35
    0.6
    1
    80
    120
    100
    160
    20
    30
    -
    15
    -
    -
    最大
    100
    100
    -
    -
    -
    -
    -
    单位
    nA
    µA
    V
    V
    V
    -I
    CES
    -V
    CB0
    -V
    CE0
    (*)
    -V
    EB0
    -V
    CE （ SAT ）
    (*)
    -V
    BE
    (*)
    I
    E
    = 0 ;V
    CES
    = 40 V
    I
    E
    = 0 ;V
    CES
    = 60 V
    集电极 - 截止
    当前
    V
    CES
    =40 V
    I
    E
    = 0 ; V
    T
    AMB
    = 150 ℃， V
    CES
    =60 V
    集电极 - 基
    -I
    C
    = 100 µA
    I
    E
    = 0
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    -I
    C
    = 10毫安
    I
    B
    = 0
    击穿电压
    发射极 - 基
    -I
    E
    = 100 µA
    击穿电压
    I
    C
    = 0
    -I
    C
    = 100毫安， -I
    B
    = 10毫安
    集电极 - 发射极
    -I
    C
    = 500毫安， -I
    B
    = 50毫安
    饱和电压
    -I
    C
    = 1 ， -I
    B
    = 100毫安
    基射极电压-I
    C
    = 1 A， -V
    CE
    = 1V
    -I
    C
    = 100 μA ， -V
    CE
    = 1 V
    h
    FE
    (*)
    直流电流增益
    -I
    C
    = 100毫安， -V
    CE
    = 1 V
    -I
    C
    = 1 A， -V
    CE
    = 1 V
    f
    T
    C
    CBO
    t
    关闭
    t
    on
    跃迁频率-I
    C
    = 50毫安， -V
    CE
    = 10 V
    集电极 - 基
    I
    E
    = 0 ; -V
    CB
    = 20V
    F = 1 MH
    Z
    电容
    -I
    C
    -100毫安
    关断时间
    -I
    B1
    =-I
    B2
    ± 5毫安
    -I
    C
    -100毫安
    导通时间
    -I
    B1
    = 1毫安
    （ * ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 1 ％
    1
    1.7
    -
    -
    160
    250
    -
    -
    -
    30
    650
    500
    V
    -
    MH
    Z
    pF
    ns
    ns
    18/10/2012
    半导体COMSET
    2/3

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