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2N6285 参数 Datasheet PDF下载

2N6285图片预览
型号: 2N6285
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内容描述: PNP达林顿功率硅晶体管 [PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 3 页 / 80 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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2N6285 – 2N6286 – 2N6287
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻结案件
价值
1.09
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
集电极 - 发射极
击穿电压
(*)
集电极截止
当前
发射极截止
当前
测试条件(S )
2N6285
I
C
= -200米一
I
B
= 0
V
CE
= -30 V,I
B
= 0
V
CE
= -40 V,I
B
= 0
V
CE
= -50 V,I
B
= 0
2N6286
2N6287
-60
-80
-100
-
典型值
-
-
-
-
最大
-
-
-
-1
单位
V
CEO ( SUS )
V
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
集电极截止
当前
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压( * )
集电极 - 发射极
饱和电压( * )
基射
饱和电压( * )
基射极电压
(*)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE
2N6285
2N6286
2N6287
2N6285
V
BE
= -5 V,I
C
= 0
2N6286
2N6287
V
CE
= -60 V, V
BE
= 1.5 V
2N6285
V
CE
= -80 V, V
BE
= 1.5 V
2N6286
V
CE
= -100 V, V
BE
= 1.5 V 2N6287
V
CE
= 60 V, V
BE
= 1.5 V
2N6285
T
C
= 150°C
V
CE
= -80 V, V
BE
= 1.5 V
2N6286
T
C
= 150°C
V
CE
= -100 V, V
BE
= 1.5 V
2N6287
T
C
= 150°C
2N6285
2N6286
I
C
= -10 A,I
B
= -40毫安
2N6287
2N6285
I
C
= -20 A,I
B
= -200毫安
2N6286
2N6287
2N6285
I
C
= -20 A,I
B
= -200毫安
2N6286
2N6287
2N6285
2N6286
V
CE
= -3 V,I
C
= -10 A
2N6287
mA
-
-
-2
mA
-
-
-500
µA
-
-
-5
mA
-
-
-2
V
-
-
-3
V
-
-
-4
V
-
-
-2,8
V
04/12/2012
半导体COMSET
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