2N6250 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N6250
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内容描述：	高压硅功率晶体管 [HIGH VOLTAGE SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管开关高压局域网
文件页数/大小：	4 页 / 126 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

NPN 2N6249 – 2N6250 – 2N6251

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

CEO （ SUS ）

评级

集电极 - 发射极

维持电压

集电极 - 发射极

维持电压

集电极 - 发射极电流

测试条件（S ）

= 200毫安，我

= 0.2 A，R

=50

Ω

= 150 V，I

= 225 V，I

= 300 V，I

=200 V, V

=-1.5 V

=200 V, V

=-1.5 V

= 150°C

=275 V, V

=-1.5 V

2N6249

2N6250

2N6251

2N6249

2N6250

2N6251

2N6249

2N6250

2N6251

2N6249

民

200

275

350

225

300

375

典型值

最大

1.5

单位

CER （ SUS）

首席执行官

CEX

收藏家Cuto FF电流

=275 V, V

=-1.5 V

= 150°C

=350 V, V

=-1.5 V

=350 V, V

=-1.5 V

= 150°C

2N6250

2N6251

2N6249

2N6250

2N6251

2N6249

2N6250

2N6251

2N6249

2N6250

2N6251

2N6249

2N6250

2N6251

EBO

发射Cuto FF电流

= 6 V，I

直流电流增益

集电极 - 发射极

饱和电压（ * ）

基射极饱和

电压（*）

第二击穿

集电极电流

基地正向偏置

跃迁频率

= 10 A，V

=3 V

IC = 10 A， IB = 1

IC = 10 A， IB = 1.25 A

IC = 10 A， IB = 1.67

IC = 10 A， IB = 1

IC = 10 A， IB = 1.25 A

IC = 10 A， IB = 1.67

=30 V

T = 1秒，不重复

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

2.25

S / B

5.8

2.5

兆赫

= 10 V，I

= 1 ， F = 1.0 MHz的

20/11/2012

半导体COMSET

2|4

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