2N6249 – 2N6250 – 2N6251
I
EBO
发射Cuto FF电流
Ssecond击穿
集电极电流
基地正向偏置
T = 1.0S非重复性
Ssecond击穿
能源与基础反转
偏置T = 1.0S非
重复
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压（ 1）
基射极饱和
电压（1）
V
BE
= 6.0伏，我
C
=0
I
S / B
V
CE
... 30 VDC
2N6249
2N6250
2N6251
2N6249
2N6250
2N6251
2N6249
2N6250
2N6251
2N6249
2N6250
2N6251
2N6249
2N6250
2N6251
2N6249
2N6250
2N6251
-
5.8
5.8
5.8
2.5
2.5
2.5
10
8.0
6.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
50
50
50
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
MADC
VDC
E
S / B
I
C
= 10 A，V
BE （OFF）的
= 4.0Vdc ，
L = 50 μH
mJ
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏
I
C
= 10位ADC ，我
B
= 1 ADC
I
C
= 10位ADC ，我
B
= 1.25 ADC
I
C
= 10位ADC ，我
B
= 1.67 ADC
I
C
= 10位ADC ，我
B
= 1 ADC
I
C
= 10位ADC ，我
B
= 1.25 ADC
I
C
= 10位ADC ，我
B
= 1.67 ADC
-
VDC
VDC
（1） Mesured上曲线轨迹（60赫兹的全波整流的正弦波） 。
符号
f
T
t
r
t
s
t
f
评级
电流增益 - 带宽
产品
测试条件（S ）
最小典型单位的Mx
2.5
2N6259
2N6250
2N6251
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.5
1.0
兆赫
V
CE
= 10 VDC ，我
C
-1.0 ADC ，
f
TEST
= 1.0兆赫
V
CC
= 200伏，我
C
= 10 A，占空比< = 2.0 ％T
p
= 100 µs
上升时间
I
B1
= I
B2
= 1.0 ADC
贮存时间
I
B1
= I
B2
= 1.25 ADC
下降时间
I
B1
= I
B2
= 1.67 ADC
µs
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
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半导体COMSET
3/3
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