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    2N6057_12 参数 Datasheet PDF下载

    2N6057_12图片预览
    型号： 2N6057_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 电源互补硅晶体管 [POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 80 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N6057_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N6057_12的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN 2N6057 - 2N6058 - 2N6059
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    评级
    测试条件（S ）
    V
    CE
    = V
    CEX
    =60 V
    ,
    V
    BE
    =-1.5 V
    V
    CE
    = V
    CEX
    =80 V
    ,
    V
    BE
    =-1.5 V
    V
    CE
    = V
    CEX
    =100 V
    V
    BE
    =-1.5 V
    V
    CE
    = V
    CEX
    =60 V
    ,
    V
    BE
    =-1.5 V
    T
    C
    =150°C
    V
    CE
    = V
    CEX
    =80 V
    ,
    V
    BE
    =-1.5 V
    T
    C
    =150°C
    V
    CE
    = V
    CEX
    =100 V
    V
    BE
    = -1.5 V，T
    C
    =150°C
    V
    CE
    = 30伏直流电，我
    B
    =0
    V
    CE
    = 40 VDC ，我
    B
    =0
    V
    CE
    = 50伏直流，我
    B
    =0
    V
    EB
    =5 V
    2N6050
    2N6051
    2N6052
    2N6050
    2N6051
    2N6052
    2N6050
    2N6051
    2N6052
    2N6050
    2N6051
    2N6052
    2N6050
    2N6051
    2N6052
    2N6050
    2N6051
    2N6052
    2N6050
    2N6051
    2N6052
    2N6050
    2N6051
    2N6052
    2N6050
    2N6051
    2N6052
    2N6050
    2N6051
    2N6052
    2N6050
    2N6051
    2N6052
    2N6050
    2N6051
    2N6052
    民
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    60
    80
    100
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大单位
    µA
    500
    I
    CEX
    集电极截止
    当前
    5
    mA
    I
    首席执行官
    集电极截止
    当前
    发射极截止
    当前
    1.0
    mA
    I
    EBO
    2.0
    -
    -
    -
    2.0
    mA
    V
    CEO （ SUS ）
    集电极 - 发射极
    维持电压I
    C
    =0.1 A
    (*)
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    (*)
    I
    C
    = 6 A，I
    B
    = 24毫安
    V
    V
    CE （ SAT ）
    V
    -
    -
    3.0
    I
    C
    = 12 A，I
    B
    = 120毫安
    V
    BE （ SAT ）
    基射
    饱和电压I
    C
    = 12 A，I
    B
    = 120毫安
    (*)
    基射
    电压（*）
    过渡
    频率
    I
    C
    = 6 A，V
    CE
    =3 V
    -
    -
    4
    V
    V
    BE（上）
    -
    -
    2.8
    V
    f
    T
    I
    C
    = 5 A，V
    CE
    = 3 V ， F = 1兆赫
    4
    -
    -
    兆赫
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    =6.0 A
    h
    FE
    直流电流增益
    (*)
    V
    CE
    = 3.0 V，I
    C
    =12 A
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    17/10/2012
    750
    -
    18000
    -
    100
    -
    -
    半导体COMSET
    2|3

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