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    2N5681 参数 Datasheet PDF下载

    2N5681图片预览
    型号： 2N5681
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN开关晶体管 [NPN SWITCHING TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体开关晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 79 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N5681的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N5681的Datasheet PDF文件第3页  
    2N5681 – 2N5682
    电气特性
    TJ = 25 ° C除非另有说明
    符号
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    评级
    集电极截止
    当前
    集电极截止
    当前
    测试条件（S ）
    民
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    -
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    2N5679
    2N5680
    -
    100
    120
    -
    -
    -
    -
    40
    5
    30
    -
    40
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    Mx
    1
    10
    1
    单位
    µA
    µA
    µA
    I
    CEV
    集电极截止
    当前
    V
    CB
    = 100 V，I
    E
    = 0
    V
    CB
    = 120 V，I
    E
    = 0
    V
    CE
    = 70 V，I
    B
    = 0
    V
    CE
    = 80 V，I
    B
    = 0
    V
    CE
    = 100 V, V
    BE
    = -1.5 V
    V
    CE
    = 120 V, V
    BE
    = -1.5 V
    V
    CE
    = 100 V, V
    BE
    = -1.5 V
    T
    C
    = 150°C
    V
    CE
    = 120 V, V
    BE
    = -1.5 V
    T
    C
    = 150°C
    -
    1
    mA
    I
    EBO
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    发射极截止
    V
    BE
    = 4.0 V，I
    C
    = 0
    当前
    集电极发射极
    我= 10 mA时，我
    B
    = 0
    维持电压（ * ）
    C
    I
    C
    = 250毫安
    I
    B
    = 25毫安
    I
    C
    = 500毫安
    集电极 - 发射极
    饱和电压（ * ）I
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 1 A
    I
    B
    = 200毫安
    基射极电压
    I
    C
    = 250毫安， V
    CE
    = 2 V
    (*)
    I
    C
    = 250毫安， V
    CE
    = 2 V
    直流电流增益（ * ）
    I
    C
    = 1 A，V
    CE
    = 2 V
    I
    C
    = 100毫安， V
    CE
    = 10 V
    F = 10MHz的
    I
    E
    = 0, V
    CB
    = 20 V
    F = 1MHz的
    I
    C
    = 200毫安， V
    CE
    = 1.5 V
    F = 1千赫
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    0.6
    1
    2
    1
    150
    -
    -
    50
    -
    µA
    V
    V
    V
    h
    FE
    f
    T
    C
    OB
    h
    fe
    跃迁频率
    输出电容
    小信号电流
    收益
    兆赫
    pF
    -
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    04/09/2012
    半导体COMSET
    2/3

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