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    2N5671 参数 Datasheet PDF下载

    2N5671图片预览
    型号： 2N5671
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 大电流快速开关应用 [HIGH CURRENT FAST SWITCHING APPLICATIONS]
    分类和应用： 晶体开关晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 310 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N5671的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N5671的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN 2N5671 - 2N5672
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    CER （ SUS）
    R
    BE
    =50Ω
    V
    CEX （ SUS）的
    I
    首席执行官
    I
    CEX
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    评级
    集电极 - 发射极
    维持电压（ 1）
    集电极 - 发射极
    维持电压（ 1）
    集电极 - 发射极
    维持电压（ 1）
    收藏家Cuto FF电流
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    测试条件（S ）
    2N5671
    2N5672
    2N5671
    I
    C
    = 0.2 A，R
    BE
    =50Ω
    2N5672
    2N5671
    I
    C
    = 0.2 A，V
    BE
    = -1.5V ，R
    BE
    =50Ω
    2N5672
    2N5671
    V
    CE
    =80 V
    2N5672
    V
    CE
    =110 V, V
    EB
    =-1.5 V,
    2N5671
    V
    CE
    =135 V, V
    EB
    =-1.5 V,
    2N5672
    2N5671
    V
    CE
    =100 V, V
    EB
    =-1.5 V,
    T
    C
    =150°C
    2N5672
    2N5671
    V
    BE
    = 7.0 V，I
    C
    =0
    2N5672
    2N5671
    I
    C
    = 15 A，V
    CE
    =2.0 V
    2N5672
    2N5671
    I
    C
    = 20 A，V
    CE
    =5.0 V
    2N5672
    2N5671
    I
    C
    = 15 A，I
    B
    =1.2 A
    2N5672
    2N5671
    I
    C
    = 15 A，I
    B
    =1.2 A
    2N5672
    I
    C
    = 200毫安，我
    B
    =0
    最小典型单位的Mx
    90
    120
    110
    140
    120
    150
    -
    -
    -
    -
    -
    20
    20
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10
    12
    10
    15
    10
    10
    100
    -
    -
    0.75
    V
    1.5
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    直流电流增益（ 1 ）
    集电极 - 发射极
    饱和电压（ 1）
    基射极饱和
    电压（1）
    符号
    V
    BE
    f
    T
    I
    S / B
    E
    S / B
    t
    on
    t
    s
    t
    f
    C
    BO
    评级
    基极 - 发射极电压（1）
    跃迁频率
    二次击穿能量
    (2)
    二次击穿能量
    开启时间
    贮存时间
    文件时间
    集电极 - 基极电容
    测试条件（S ）
    2N5671
    2N5672
    2N5671
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    =2 A,
    2N5672
    V
    CE
    =24 V
    2N5671
    V
    CE
    =45 V
    2N5672
    2N5671
    V
    BE
    = -4 V ，R
    BE
    =20Ω
    ,L=180µH
    2N5672
    2N5671
    2N5672
    2N5671
    I
    C
    = 15 A，V
    CC
    =30 V
    I
    B1
    = -I
    B2
    =1.2 A
    2N5672
    2N5671
    2N5672
    2N5671
    I
    E
    = 0 , V
    CB
    = 10 V ， F = 1MHz的
    2N5672
    I
    C
    = 15 A，V
    CE
    =5.0 V
    最小典型单位的Mx
    -
    50
    5.8
    0.9
    20
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.6
    -
    -
    -
    -
    0.5
    1.5
    0.5
    900
    pF
    µs
    V
    兆赫
    A
    mJ
    （1 ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比= 1.5 ％
    （2 ）脉冲： 1秒，非重复脉冲
    半导体COMSET
    2/3

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