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    2N5320 参数 Datasheet PDF下载

    2N5320图片预览
    型号： 2N5320
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅平面外延晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 168 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N5320的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N5320的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN 2N5320 - 2N5321
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    首席执行官
    V
    CEV
    V
    EBO
    h
    FE
    (1)
    V
    CE （ SAT ）
    (1)
    V
    BE
    (1)
    f
    T
    t
    on
    t
    关闭
    评级
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极发射极击穿
    电压
    集电极发射极击穿
    电压
    发射极基极击穿
    电压
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    基射极电压
    跃迁频率
    开启时间
    打开-O FF时间
    测试条件（S ）
    V
    CB
    = 80 V，I
    E
    =0
    V
    CB
    = 60 V，I
    E
    =0
    V
    EB
    = 5 V，I
    C
    =0
    V
    EB
    = 4 V，I
    C
    =0
    I
    C
    = 10 mA时，我
    B
    =0
    I
    C
    = 100 µA
    V
    BE
    = 1.5V
    I
    E
    = 100 ¼A ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 500毫安
    V
    CE
    = 4 V
    I
    C
    = 1 A
    V
    CE
    = 2 V
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 500毫安， V
    CE
    = 4 V
    I
    C
    = 50 mA时， V
    CE
    = 4 V
    F = 10MHz的
    I
    C
    = 500毫安， V
    CC
    = 30 V
    I
    B1
    = 50毫安
    I
    C
    = 500毫安， V
    CC
    = 30 V
    I
    B1
    = -I
    B2
    = 50毫安
    最小典型单位的Mx
    -
    -
    -
    -
    75
    50
    100
    75
    6
    5
    30
    40
    10
    -
    -
    -
    -
    50
    -
    -
    -
    -
    0.1
    0.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.5
    5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    130
    250
    -
    0.5
    0.8
    1.1
    1.4
    -
    80
    800
    V
    V
    兆赫
    ns
    ns
    µA
    µA
    V
    V
    V
    2N5320
    2N5321
    2N5320
    2N5321
    2N5320
    2N5321
    2N5320
    2N5321
    2N5320
    2N5321
    2N5320
    2N5321
    2N5320
    2N5320
    2N5321
    2N5320
    2N5321
    2N5320
    2N5321
    2N5320
    2N5321
    2N5320
    2N5321
    -
    （ 1 ）脉冲条件： TP < 300
    µs, δ
    =1%
    半导体COMSET
    2/3

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