2N3789_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N3789_12
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内容描述：	外延基区晶体管 [EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 82 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

PNP 2N3789 - 2N3790 - 2N3791 - 2N3792

外延基区晶体管

该2N3789 ， 2N3790 ， 2N3791和2N3792在硅外延基PNP功率晶体管

JEDEC TO- 3金属外壳。他们inteded为线性电源和开关应用。

该2N3713 ， 2N3714 ， 2N3715和2N3716互补NPN类型分别。

符合RoHS指令

绝对最大额定值

符号

CBO

集电极 - BaseVoltage

评级

= 0

2N3789

2N3791

2N3790

2N3792

2N3789

2N3791

2N3790

2N3792

价值

-80

单位

-100

-60

-80

-7

-10

-4

150

-65到+200

°C

首席执行官

EBO

集电极 - 发射极

电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

= 0

器件总功耗@ T

= 25°

结温

储存温度

热特性

符号

thJC

评级

热阻，结到外壳（最大）

价值

1.17

单位

° C / W

05/11/2012

半导体COMSET

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