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    2N3584 参数 Datasheet PDF下载

    2N3584图片预览
    型号： 2N3584
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅功率晶体管。 [NPN SILICON POWER TRANSISTORS.]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 161 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N3584的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N3584的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN 2N3583 - 2N3584 - 2N3585
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    评级
    集电极 - 发射极截止
    当前
    测试条件（S ）
    2N3583
    I
    B
    = 0 ; V
    CE
    = 150 V
    V
    BE
    = -1.5V ;
    V
    CE
    = 225 V
    V
    BE
    = -1.5V ;
    V
    CE
    = 340 V
    V
    BE
    = -1.5V ;
    V
    CE
    = 450 V
    V
    BE
    = -1.5V ;
    V
    CE
    = 225 V
    T
    j
    = 150°C
    V
    BE
    = -1.5V ;
    V
    CE
    = 300 V
    T
    j
    = 150°C
    I
    C
    = 0 ; V
    EB
    = 6 V
    最小典型单位的Mx
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    I
    首席执行官
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3584
    2N3585
    2N3584
    2N3585
    2N3584
    2N3585
    10
    5
    5
    1
    mA
    I
    CEX
    集电极 - 发射极截止
    当前
    -
    -
    -
    -
    175
    250
    300
    -
    -
    -
    -
    40
    10
    25
    25
    8
    8
    350
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    5
    0.5
    0.5
    -
    -
    -
    5
    0.75
    0.75
    1.4
    200
    -
    100
    100
    80
    80
    -
    mA
    I
    EBO
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    发射极截止offcurrent
    集电极 - 发射极
    sustaning电压（ 1）
    集电极 - 发射极
    饱和电压（ 1）
    基射极饱和
    电压（1）
    I
    B
    = 0 ; I
    C
    = 200毫安
    V
    I
    C
    = 1 ;我
    B
    = 125毫安
    V
    I
    C
    = 1 ;我
    B
    = 100毫安
    V
    CE
    = 10 V ;我
    C
    = 500毫安
    h
    FE
    直流电流增益（ 1 ）
    V
    CE
    = 10 V ;我
    C
    = 1 A
    V
    CE
    = 2 V ;我
    C
    = 1 A
    I
    S / B
    f
    T
    t
    d
    +t
    r
    t
    f
    t
    s
    第二击穿
    集电极电流
    跃迁频率
    导通时间
    下降时间
    载体的存储时间
    V
    CE
    = 100V ; T = 1秒
    V
    CE
    = 10 V ;我
    C
    = 200毫安
    F = 5兆赫
    I
    C
    = 1 ;我
    B
    = 100毫安
    I
    C
    = 1 ;我
    B
    = 100毫安
    I
    C
    = 1 ;我
    B
    = 100毫安
    10
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    3
    4
    兆赫
    µs
    脉冲条件下测得的1 ：
    t
    P
    <300µs,
    δ
    <2%.
    半导体COMSET
    2

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