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    2N3583_12 参数 Datasheet PDF下载

    2N3583_12图片预览
    型号： 2N3583_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅功率晶体管。 [NPN SILICON POWER TRANSISTORS.]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 102 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N3583_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N3583_12的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN 2N3583 - 2N3584 - 2N3585
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    I
    首席执行官
    评级
    测试条件（S ）
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3583
    2N3584
    2N3585
    2N3584
    2N3585
    2N3584
    2N3585
    2N3584
    2N3585
    民
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    最大
    10
    5
    5
    1
    单位
    集电极 - 发射极cut-
    I
    B
    = 0 ; V
    CE
    = 150 V
    关断电流
    V
    BE
    = -1.5V ; V
    CE
    = 225 V
    V
    BE
    = -1.5V ; V
    CE
    = 340 V
    V
    BE
    = -1.5V ; V
    CE
    = 450 V
    V
    BE
    = -1.5V ; V
    CE
    = 225 V
    T
    j
    = 150°C
    V
    BE
    = -1.5V ; V
    CE
    = 300 V
    T
    j
    = 150°C
    I
    CEX
    集电极 - 发射极
    截止电流
    mA
    -
    -
    -
    -
    175
    250
    300
    -
    -
    -
    -
    40
    10
    25
    25
    8
    8
    350
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    5
    0.5
    0.5
    -
    -
    -
    5
    0.75
    0.75
    1.4
    200
    -
    100
    100
    80
    80
    -
    mA
    I
    EBO
    发射极截止offcurrent我
    C
    = 0 ; V
    EB
    = 6 V
    集电极 - 发射极
    sustaning电压（ *）
    V
    CEO （ SUS ）
    I
    B
    = 0 ; I
    C
    = 200毫安
    V
    V
    CE （ SAT ）
    集电极 - 发射极
    I = 1 ;我
    B
    = 125毫安
    饱和电压（ * ）
    C
    基射
    I = 1 ;我
    B
    = 100毫安
    饱和电压（ * ）
    C
    V
    CE
    = 10 V ;我
    C
    = 500毫安
    V
    V
    BE （ SAT ）
    h
    FE
    直流电流增益（ * ）
    V
    CE
    = 10 V ;我
    C
    = 1 A
    V
    CE
    = 2 V ;我
    C
    = 1 A
    I
    S / B
    第二击穿
    集电极电流
    跃迁频率
    导通时间
    下降时间
    载体的存储时间
    V
    CE
    = 100V ; T = 1秒
    V
    CE
    = 10 V ;我
    C
    = 200毫安
    F = 5兆赫
    I
    C
    = 1 ;我
    B
    = 100毫安
    I
    C
    = 1 ;我
    B
    = 100毫安
    I
    C
    = 1 ;我
    B
    = 100毫安
    f
    T
    t
    d
    +t
    r
    t
    f
    t
    s
    10
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    3
    4
    兆赫
    µs
    (*)
    脉冲的条件下测得的：
    t
    P
    <300µs,
    δ
    <2%.
    17/10/2012
    半导体COMSET
    2|3

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